[發明專利]探針卡的制造方法有效
| 申請號: | 200610103270.0 | 申請日: | 2006-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN101113990A | 公開(公告)日: | 2008-01-30 |
| 發明(設計)人: | 王俊恒 | 申請(專利權)人: | 南茂科技股份有限公司;百慕達南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G01R1/073 | 分類號: | G01R1/073;G01R31/28;G01R31/00;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 探針 制造 方法 | ||
技術領域
本發明是有關于一種測試模組的制造方法,且特別是有關于一種探針卡的制造方法。
背景技術
集成電路晶片(integrated?circuit?chip,IC?chip)的測試在半導體制程(semiconductor?process)的不同階段都是必要的。每一個IC晶片在晶圓(wafer)與封裝(package)型態都必須接受測試以確保其電性功能(electrical?function)。隨著晶片功能的加強與復雜化,高速與精確的測試需求也就更加重要。
在晶圓型態測試個別晶片,其過程稱為晶圓探測(wafer?test)。晶圓探測是在晶片與自動測試設備之間建立暫時的電性接觸。晶圓探測是IC設計與功能的重要測試,以便進行晶片分離與后續封裝之前,篩選出良好的IC晶片。
此測試方式乃是以測試機臺與探針卡(Probe?Card)構成測試回路,將探針卡上的探針頭(Probe?Pin)直接與晶片上的焊墊(Pad)或凸塊(Bump)直接接觸,而利用探針探測晶圓上的各個晶片,從而引出晶片訊號,并將此晶片訊號資料送往測試機臺作分析與判斷,而使得在進入封裝步驟前,可事先濾除電性與功能不良的晶片,以避免不良品的增加而提高封裝制造成本。
然而,由于隨著焊墊或凸塊的間距(pitch)逐漸縮小,探針的間距也必須隨之縮小。此外,隨著焊墊或凸塊面積的縮小,探針的直徑也隨之縮小。因此,一般的制造技術逐漸面臨瓶頸。
發明內容
有鑒于此,本發明的目的是提供一種探針卡的制造方法,以增加探針位置與直徑的精度。
此外,本發明的另一目的是提供一種探針卡的制造方法,以降低探針卡的制造成本。
為達上述或其他目的,本發明提出一種探針卡的制造方法,其包括下列步驟。首先,提供一基板,并在基板上形成一第一鈍化層。在第一鈍化層上形成一第一圖案化光阻層。在第一鈍化層與第一圖案化光阻層上形成一第一金屬層,其中第一金屬層具有多個第一貫孔,其暴露出部分第一圖案化光阻層,且各第一貫孔的孔徑自第一金屬層的下表面往第一金屬層的上表面逐漸增加。在第一金屬層與第一圖案化光阻層上形成一第二鈍化層。在第二鈍化層上形成一第二圖案化光阻層,其中第二圖案化光阻層具有多個第二貫孔,分別暴露出第一貫孔。在這些第二貫孔與這些第一貫孔內形成多個針體,并在第二圖案化光阻層上形成一第二金屬層,且這些針體的一端與第二金屬層連接。取出針體與第二金屬層。然后,提供一線路載板,且線路載板具有多個第三貫孔,并將這些針體分別插入這些第三貫孔內。圖案化第二金屬層,以形成多個頂部,且各頂部與這些針體其中之一相連。
在本發明的一實施例中,第一鈍化層的材質可以是鉻、鈦或不銹鋼。
在本發明的一實施例中,第二鈍化層的材質可以是鉻或鈦。
在本發明的一實施例中,取出這些針體與第二金屬層的步驟包括分離第二鈍化層與針體。然后,移除第二圖案化光阻層。
在本發明的一實施例中,基板可以是硅晶圓、光學玻璃基板或不銹鋼。
為達上述或是其他目的,本發明提出另一種探針卡的制造方法,其包括下列步驟。首先,提供一基板,并在基板上形成一鈍化層。在鈍化層上形成一第一圖案化光阻層。在鈍化層與第一圖案化光阻層上形成一第一金屬層,其中第一金屬層具有多個第一貫孔,其暴露出部分第一圖案化光阻層,且各第一貫孔的孔徑自第一金屬層的下表面往第一金屬層的上表面逐漸增加。對于第一金屬層與第一圖案化光阻層進行一鈍化處理。在第一金屬層上形成一第二圖案化光阻層,其中第二圖案化光阻層具有多個第二貫孔,分別暴露出第一貫孔。在這些第二貫孔與這些第一貫孔內形成多個針體,并在第二圖案化光阻層上形成一第二金屬層,且這些針體的一端與第二金屬層連接。取出針體與第二金屬層。然后,提供一線路載板,且線路載板具有多個第三貫孔,并將這些針體分別插入這些第三貫孔內。圖案化第二金屬層,以形成多個頂部,且各頂部與這些針體其中之一相連。
在本發明的一實施例中,鈍化處理可以是浸泡鈍化液。
在本發明的一實施例中,鈍化層的材質可以是鉻或鈦。
在本發明的一實施例中,取出這些針體與第二金屬層的步驟包括分離第一金屬層與針體。然后,移除第二圖案化光阻層。
在本發明的一實施例中,基板可以是硅晶圓、光學玻璃基板或不銹鋼。
基于上述,本發明采用半導體制程定義出探針的位置與幾何尺寸,然后利用針體與第二鈍化層之間接合力不佳的現象,以取出探針陣列。因此,探針位置與幾何尺寸的精度能夠增加。
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