[發明專利]薄膜晶體管陣列有效

申請號：	200610103042.3	申請日：	2006-07-06
公開（公告）號：	CN101101913A	公開（公告）日：	2008-01-09
發明（設計）人：	黃兆慶;任堅志;游輝鐘;洪孟鋒;劉文雄;朱弘仁	申請（專利權）人：	中華映管股份有限公司
主分類號：	H01L27/12	分類號：	H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362
代理公司：	上海專利商標事務所有限公司	代理人：	陳亮
地址：	臺灣省臺北***	國省代碼：	中國臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	薄膜晶體管陣列
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【說明書】：

技術領域

本發明有關于一種薄膜晶體管陣列(thin?film?transistor?array，TFTarray)，且特別有關于一種能夠提高顯示器顯示亮度均勻性的薄膜晶體管陣列。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器主要由薄膜晶體管陣列、彩色濾光片(color?filter)和液晶層(liquid?crystal?layer)所構成。圖1為現有的薄膜晶體管陣列的局部示意圖。請參照圖1，薄膜晶體管陣列100主要是由以陣列排列的多個像素結構110所構成。其中，各個像素結構110均是由掃描配線(scan?line)112、數據配線(dateline)114、薄膜晶體管116以及與薄膜晶體管116電性連接的像素電極(pixelelectrode)118所組成。

請繼續參照圖1，薄膜晶體管116是用來作為像素結構110的開關元件，而掃描配線112與數據配線114則是用來提供其所選定的像素結構110適當的操作電壓，以分別驅動各個像素結構110而顯示影像。此外，像素結構110還包括有輔助電極120，配置于薄膜晶體管陣列100的共用配線130上方。

圖2為現有的一種薄膜晶體管液晶顯示器的單一像素的等效電路示意圖。請參照圖2，在現有的薄膜晶體管液晶顯示器的單一像素中，通常包含一薄膜晶體管116、一液晶電容C_LC以及一存儲電容(storage?capacitance)C_st。

請同時參照圖1及圖2，液晶電容C_LC是由薄膜晶體管陣列100上的像素電極118與彩色濾光片上的共用電極(common?electrode)(未示出)耦合而成。存儲電容C_st則是由輔助電極120與共用配線130耦合而成。另外，薄膜晶體管116的柵極G、源極S以及漏極D分別與掃描配線112、數據配線114以及像素電極118連接。而且，由于薄膜晶體管116的柵極G與漏極D之間有互相重疊的區域，因此在柵極G與漏極D之間會存有一柵極-漏極寄生電容(parasitic?capacitance)C_gd。

請繼續參照圖1及圖2，由于施加在液晶電容C_LC上的電壓(也就是施加于像素電極118與共用電極上的電壓)與液晶分子的光穿透率之間具有特定關系，因此只要依據所要顯示的畫面來控制施加在液晶電容C_LC上的電壓，即可使顯示器顯示預定畫面。其中，當薄膜晶體管116關閉時，液晶電容C_LC上的電壓是保持一定值(也就是處于保持(holding)狀態)，但由于柵極-漏極寄生電容C_gd的存在，液晶電容C_LC上所保持的電壓將會隨著數據配線114上的信號變化而有所改變(也就是所謂的耦合效應)，因而使得液晶電容C_LC上所保持的電壓偏離原先設定值。此電壓變動量稱為饋通電壓(feed-through?voltage)ΔVp，其可表示為：

ΔV p = C gd C gd + C st + C LC Δ V g . . . . . . ( 1 ) ]]>