[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610103042.3
• 申請日: 2006-07-06
• 公開（公告）號: CN101101913A
• 公開（公告）日: 2008-01-09
• 發(fā)明（設計）人: 黃兆慶;任堅志;游輝鐘;洪孟鋒;劉文雄;朱弘仁
• 申請（專利權）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陳亮

1.一種薄膜晶體管陣列，包含：

一基板，具有多個像素區(qū)域；

多個薄膜晶體管，分別配置于各該像素區(qū)域內；

多個像素電極，分別配置于各該像素區(qū)域內而與薄膜晶體管電性連接；

多條共用配線，配置于該基板上，其中在各該像素區(qū)域內，像素電極是覆蓋于共用配線上；以及

多個輔助電極，分別配置于各該像素區(qū)域內，并位于像素電極與共用配線之間，各該輔助電極與對應的該共用配線間具有一重疊區(qū)域，其中該重疊區(qū)域的面積為L×H，而該重疊區(qū)域的邊長和大于2L×2H，且L、H均為正實數。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列，其特征在于，該些輔助電極分別與對應的像素電極電性連接。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管陣列，其特征在于，還包括一絕緣層，配置于該些像素電極與該些輔助電極、該些源極及該些漏極之間。

4.如權利要求3所述的薄膜晶體管陣列，其特征在于，該絕緣層具有多個接觸窗開口，而該些像素電極是分別填入該些接觸窗開口而電性連接至該些輔助電極。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列，其特征在于，各該輔助電極具有多個塊狀部與至少一頸縮部，且該頸縮部位于該些塊狀部之間。

6.如權利要求5所述的薄膜晶體管陣列，其特征在于，各該頸縮部呈梳狀。

7.如權利要求5所述的薄膜晶體管陣列，其特征在于，各該頸縮部呈連續(xù)彎折狀。

8.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列，其特征在于，各該輔助電極包括多個塊狀電極，且各該塊狀電極互不相連。

9.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列，其特征在于，在各該像素區(qū)域內，該共用配線呈H型。

10.如權利要求9所述的薄膜晶體管陣列，其特征在于，各該輔助電極呈H型。

11.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列，其特征在于，該薄膜晶體管的漏極呈H型。

12.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列，其特征在于，該薄膜晶體管的柵極呈H型。