[發明專利]噴墨頭芯片的供墨槽制造方法無效
| 申請號: | 200610101327.3 | 申請日: | 2006-07-07 |
| 公開(公告)號: | CN101100130A | 公開(公告)日: | 2008-01-09 |
| 發明(設計)人: | 鄭香京 | 申請(專利權)人: | 研能科技股份有限公司 |
| 主分類號: | B41J2/16 | 分類號: | B41J2/16;B41J2/14 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 任永武 |
| 地址: | 臺灣省新竹市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 噴墨 芯片 供墨槽 制造 方法 | ||
技術領域
本發明有關一種制造方法,尤指一種噴墨頭芯片的供墨槽制造方法。
背景技術
隨著打印技術的發展與打印設備的進步,噴墨打印機(ink?jet?printer)的功能日益強大,打印品質與效率也獲得很大的提升,其中,供墨系統是噴墨打印機中相當關鍵的核心之一,且噴墨頭芯片的供墨槽品質還可以直接影響到打印效果。
目前噴墨頭芯片所使用的穿孔加工方法有許多方式,主要是以干蝕刻、濕蝕刻、激光及噴砂等加工方式來進行,其中濕蝕刻加工會出現等向性蝕刻輪廓的問題,而干蝕刻與激光加工所使用的設備又較為昂貴,且生產效率較慢,故在成本因素的考量下一般產業在大量生產時較多采用噴砂方式來進行加工,而現行用來進行芯片穿孔的噴砂加工方式又可分為兩種,一種為精密單個供墨槽加工模式,而另一種為全面式噴砂模式。
精密單個供墨槽加工模式是先行以電荷耦合元件(CCD)(未圖示)于芯片11的背面取像及設定定位點12(如圖1(a)所示),以運算出精密單顆供墨槽13的位置后,再加以噴砂方式貫穿,以形成一供墨槽13。此法可減少芯片11應力集中現象的產生,相較于全面式噴砂也有較佳的供墨槽加工形狀,且若單顆供墨槽加工出現問題時便可立即處理,也能避免整片供墨槽加工出現不良品,但是若供墨槽的形狀較長,例如單邊長度大于1cm,則此加工方式便無法使用,且各種供墨槽的形狀是決定于制造噴嘴的尺寸,若噴嘴變形則噴出的供墨槽即為不良品,且一旦各軸承出現誤差,或于加工時噴砂的高壓氣體出現漂浮,則其所噴出的供墨槽也屬不良品,另外供墨槽與供墨槽間所需的移動時間較長,例如由圖1(b)所示的供墨槽14的位置移動至供墨槽15的位置,以致整體生產效率較慢,加上耗材損耗率較高,將使機臺維護成本偏高。
至于,全面式噴砂則是先行以一種感光保護膜22貼于芯片21上(如圖2(a)所示),并運用半導體平版印刷曝光對位及顯影技術于該感光保護膜22上完成所需的供墨槽區域開口23(如圖2(b)所示),以暴露出欲形成供墨槽的芯片21表面,接著,再以全面式噴砂方式將所開出的供墨槽開口23噴穿以形成如圖2(c)所示的多個供墨槽24。此做法的各種供墨槽的形狀是決定于半導體平版印刷曝光對位及顯影技術,故供墨槽與供墨槽間移動無需定位,即使供墨槽形狀較長,例如單邊長度大于1cm,也可使用此法進行加工,因此可加快生產效率且機臺也較便宜。
但是使用全面式噴砂方式的出砂較不穩定,故供墨槽加工形狀較不一致,且在芯片21不需加工處也常有噴砂存在,將產生芯片21應力集中現象,使供墨槽加工處容易造成裂痕而導致芯片破碎。另外,若有單個供墨槽的加工問題,也無法進行加工,再加上進行全面式噴砂需要使用穩定的高壓氣體,若有飄浮則所生產的供墨槽形狀極差,將影響良率。
因此,如何發展一種可克服上述現有技術缺失,且可增加產能及提升生產良率的噴墨頭芯片的供墨槽制造方法,實為目前迫切需要解決的問題。
發明內容
本發明的主要目的在于提供一種噴墨頭芯片的供墨槽制造方法,其是以全面式噴砂工序結合單孔噴砂工序進行加工,以解決現有供墨槽單純使用精密單顆供墨槽加工工序或是全面式噴砂工序所造成的出砂不穩定、供墨槽形狀不一致、噴砂所產生的粉塵污染、加工時噴砂的高壓出現飄浮造成噴出的供墨槽為不良品以及產品良率不佳等缺點。
為達上述目的,本發明的一較廣義實施樣態為提供一種噴墨頭芯片的供墨槽制造方法,其適用于一噴墨頭芯片,至少包含下列步驟:(a)提供該噴墨頭芯片,其中該噴墨頭芯片具有一第一表面及相對應的一第二表面;(b)分別覆蓋一第一感光保護膜及一第二感光保護膜于該第一表面及該第二表面上;(c)利用一掩模顯影蝕刻工序于該第一感光保護膜及該第二感光保護膜分別定義出相對應的多個第一供墨槽區域開口及多個第二供墨槽區域開口;(d)于該第一供墨槽區域開口處對該噴墨頭芯片的該第一表面進行一全面式噴砂工序,以形成多個凹槽;(e)以及于該第二供墨槽區域開口處對該噴墨頭芯片的該第二表面進行一單孔噴砂工序,用以分別貫穿該多個凹槽,以于該噴墨頭芯片上形成多個供墨槽。
根據本發明的構想,其中步驟(e)后還包含下列步驟:(e1)由該噴墨頭芯片的該第一表面及該第二表面分別移除該第一感光保護膜及該第二感光保護膜。
根據本發明的構想,其中該掩模顯影蝕刻工序是一半導體平版印刷曝光對位及顯影工序。
根據本發明的構想,其中該全面式噴砂工序是使用一粗噴砂進行加工。
根據本發明的構想,其中該多個凹槽的深度約是該噴墨頭芯片厚度的2/3。
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