[發(fā)明專利]補(bǔ)強(qiáng)型薄膜覆晶封裝構(gòu)造

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610099587.1
• 申請(qǐng)日: 2006-08-01
• 公開（公告）號(hào): CN101118897A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉孟學(xué);潘玉堂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南茂科技股份有限公司;百慕達(dá)南茂科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H01L23/28
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種集成電路封裝構(gòu)造，特別是涉及一種可以防止在接合晶片的凸塊至該些引腳的內(nèi)接合部時(shí)軟質(zhì)介電層塌陷，使點(diǎn)涂膠體能夠順利充填在電路薄膜與晶片之間不會(huì)發(fā)生氣泡現(xiàn)象的補(bǔ)強(qiáng)型薄膜覆晶封裝構(gòu)造(Chip-On-Film?package)。

背景技術(shù)

在以往的集成電路封裝構(gòu)造中，一種薄膜覆晶封裝構(gòu)造是針對(duì)長(zhǎng)矩形的顯示器驅(qū)動(dòng)晶片而設(shè)，其分別在晶片兩長(zhǎng)側(cè)邊的輸入端與輸出端上均設(shè)有一金凸塊，并經(jīng)施予壓合與加熱，以接合至一電路薄膜的引腳。當(dāng)晶片的加熱溫度傳遞至該電路薄膜，常會(huì)導(dǎo)致該電路薄膜受熱塌陷，而導(dǎo)致變形，使得后續(xù)涂膠困難，優(yōu)良品率降低。尤其是在封裝高密度的顯示器驅(qū)動(dòng)晶片時(shí)，由于晶片的輸出端數(shù)量增多，無法全部在配置在晶片的其中一長(zhǎng)側(cè)邊，故部分的晶片輸出端(凸塊)會(huì)配置于晶片的其中兩短側(cè)邊，而會(huì)影響了點(diǎn)涂膠體的流動(dòng)速率。

請(qǐng)參閱圖1所示，是現(xiàn)有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造的截面示意圖。一種現(xiàn)有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造100，是包含一電路薄膜110、一晶片120以及一點(diǎn)涂膠體130。該晶片120具有復(fù)數(shù)個(gè)凸塊121，以接合至該電路薄膜110。該點(diǎn)涂膠體130是在粘晶之后以點(diǎn)涂方式形成并經(jīng)毛細(xì)流動(dòng)，以填充在該晶片120與該電路薄膜110之間。

請(qǐng)參閱圖1及圖2所示，圖2是現(xiàn)有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造的底面透視圖。該電路薄膜110具有一軟質(zhì)介電層111、復(fù)數(shù)個(gè)長(zhǎng)側(cè)引腳112、復(fù)數(shù)個(gè)短側(cè)引腳113以及一防焊層114。該防焊層114具有一開孔115，以顯露該些長(zhǎng)側(cè)引腳112的復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)接合部112A、該些短側(cè)引腳113的復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)接合部113A以及該軟質(zhì)介電層111對(duì)應(yīng)于該晶片120的中央位置。并且該晶片120的該些凸塊121是排列于一主動(dòng)面的四周邊(如圖2所示)，以熱壓合方法接合至該些長(zhǎng)側(cè)引腳112的內(nèi)接合部112A與該些短側(cè)引腳113的內(nèi)接合部113A。

因此，請(qǐng)參閱圖3所示，是現(xiàn)有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造在晶片接合時(shí)的截面示意圖。該軟質(zhì)介電層111對(duì)應(yīng)于該晶片120的主動(dòng)面中央下方處為單層型態(tài)，缺乏足夠的支撐，在該晶片120的接合過程中會(huì)受熱而導(dǎo)致塌陷(如圖3所示的塌陷處111A)，進(jìn)而導(dǎo)致該晶片120的主動(dòng)面中央與該電路薄膜110的間隙小于該晶片120的主動(dòng)面周邊與該電路薄膜110的間隙，故該點(diǎn)涂膠體130在后續(xù)的點(diǎn)涂過程中會(huì)在不同的位置產(chǎn)生不同的流動(dòng)速率，特別是在該塌陷處111A與該晶片120之間會(huì)產(chǎn)生氣泡131(如圖1所示)，由于該點(diǎn)涂膠體130的填充不實(shí)，而導(dǎo)致封裝的優(yōu)良品率降低。

本申請(qǐng)?jiān)暾?qǐng)人在中國(guó)臺(tái)灣專利公告第505315號(hào)曾揭示了一種“薄膜覆晶封裝構(gòu)造”，其一導(dǎo)流條是形成于一軟質(zhì)薄膜的上表面，以導(dǎo)引一底部填充材(即點(diǎn)涂膠體)的流動(dòng)，為了達(dá)到導(dǎo)流效果，該導(dǎo)流條的配置方向是與一晶片的較長(zhǎng)側(cè)邊為垂直，而無法達(dá)到明顯的支撐效果，故該軟質(zhì)薄膜仍會(huì)受熱而塌陷。

由此可見，上述現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝構(gòu)造在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但是長(zhǎng)久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的補(bǔ)強(qiáng)型薄膜覆晶封裝構(gòu)造，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

有鑒于上述現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝構(gòu)造存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的補(bǔ)強(qiáng)型薄膜覆晶封裝構(gòu)造，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝構(gòu)造存在的缺陷，而提供一種新的補(bǔ)強(qiáng)型薄膜覆晶封裝構(gòu)造，所要解決的技術(shù)問題是使其一電路薄膜是定義有一概呈矩形的覆晶接合區(qū)并具有在一軟質(zhì)介電層上的復(fù)數(shù)個(gè)引腳以及復(fù)數(shù)個(gè)補(bǔ)強(qiáng)條(stiffening?bar)，使得在該電路薄膜與該晶片之間維持有可供膠體順利流動(dòng)的一致間隙，因此在后續(xù)制程中點(diǎn)膠形成的點(diǎn)涂膠體能夠順利充填在該電路薄膜與該晶片之間，不會(huì)發(fā)生氣泡，且兼具有導(dǎo)熱與電性屏障的功效，非常適于實(shí)用。

本發(fā)明的次一目的在于，提供一種新的補(bǔ)強(qiáng)型薄膜覆晶封裝構(gòu)造，所要解決的技術(shù)問題是使其中該些補(bǔ)強(qiáng)條上電鍍有一硬質(zhì)金屬層，可增強(qiáng)該些補(bǔ)強(qiáng)條能用于支撐該軟質(zhì)介電層以防止塌陷的能力，從而更加適于實(shí)用。