[發明專利]覆晶封裝件及其制造方法無效

申請號：	200610099257.2	申請日：	2006-07-21
公開（公告）號：	CN101110398A	公開（公告）日：	2008-01-23
發明（設計）人：	謝爵安;戴豐成	申請（專利權）人：	日月光半導體制造股份有限公司
主分類號：	H01L23/48	分類號：	H01L23/48;H01L23/482;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60
代理公司：	北京律誠同業知識產權代理有限公司	代理人：	梁揮;徐金國
地址：	中國臺***	國省代碼：	中國臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	封裝及其制造方法
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【說明書】：

技術領域

本發明是涉及一種覆晶封裝件及其制造方法，尤其是一種可抗應力的覆晶封裝件及其制造方法。

背景技術

請分別參照圖1A至圖1F，圖1A至圖1F所示為現有形成覆晶封裝件的流程示意圖。欲形成覆晶封裝件時需經過以下流程，首先如圖1A所示，于基底101上形成第一保護層103并露出復數個焊墊105。然后，如圖1B所示形成第二保護層107于第一保護層103上，并經由曝光顯影的方式形成復數個開口109。接著，如第1C圖所示沉積凸塊下金屬層111(Under?Bump?Metallurgylayer，UBM)于第二保護層107上，并進行凸塊下金屬層111的圖案化制程。然后，如圖1D所示，于凸塊下金屬層111上成復數個導電凸塊113以形成一晶片結構120。

在形成晶片結構120后遂入覆晶的步驟。如第1E圖所示，當形成晶片結構120后，覆晶黏合晶片結構120。使復數個導電凸塊113一端連接至基板115上復數個接點117。最后，在基板115與晶片結構120之間填膠(Underfill)，形成覆晶封裝件100。

在形成覆晶封裝件100后，廠商會將此封裝件進行可靠度測試(Reliabilitytest)，包括：溫度變化、壓力變化及機械性質變化。在經過許多周期的測試后，有時會發現基板115與晶片結構120之間產生脫離的現象，例如導電凸塊113與基板115接點117之間，導電凸塊113與焊墊105之間，或填膠與第二保護層107之間會產生脫離的現象。究其因果，是由于導電凸塊113與接點117間，導電凸塊113與焊墊105間，或填膠與第二保護層107間彼此的結合力及黏著力不足所致。因此，也降低了產品的可靠度及競爭力。

發明內容

本發明所欲解決的技術問題是提供一種提升封裝成品的抗應力與可靠度的覆晶封裝件。本發明所欲解決的另一技術問題是提供一種上述可提升封裝成品的覆晶封裝件的制造方法。

為解決上述技術問題，本發明提出的一種覆晶封裝件的技術方案，包括有：一晶片結構、一基板及一底膠。晶片結構包括有：基底、數個焊墊、第一保護層、第二保護層及數個導電凸塊。數個焊墊形成于基底上。第一保護層形成于基底上并露出這些焊墊。第二保護層形成于第一保護層上，第二保護層具有數個第一開口及第二開口，這些第一開口位于這些焊墊上，第二開口位于非這些焊墊所在的區域，且第二開口的底部的寬度，大于第二開口的頂部的寬度，第二開口的底部面向第一保護層。導電凸塊形成于焊墊上。基板具有數個接點，對應于這些導電凸塊設置，這些接點分別與這些導電凸塊電連接。

為解決上述另一個技術問題，本發明提出的一種形成覆晶封裝件的方法技術方案，包括有：首先提供一基底。然后在基底形成第一保護層及數個焊墊，且焊墊露出于第一保護層中。接著，在第一保護層上形成第二保護層，并曝顯形成數個第一開口及至少一個第二開口，第二開口的底部的寬度，大于第二開口的頂部的寬度，第二開口的底部面向第一保護層。然后，在這些第一開口中形成數個導電凸塊，切割基底以形成多數個晶片結構。接著，提供一基板。然后，覆晶這些晶片結構于基板上。最后，在晶片結構與基板間填充底膠。

本發明上述技術方案所揭露的覆晶封裝件及其制造方法，第一開口的底部寬度大于頂部寬度可協助第二保護層夾持住導電凸塊，防止導電凸塊脫落離開焊墊，而第二開口形成底切可以增加底膠與晶片結構的夾持力，使晶片結構與基板之間的附著力增加。采用這樣的結構，覆晶封裝件的整體抗應力值便可以提升。同時，也可以增加產品的可靠度。

附圖說明

圖1A至圖1F所示為現有形成覆晶封裝件的流程示意圖；

圖2A至圖2F所示為形成晶片結構的流程示意圖；

圖3A至圖3B所示為覆晶的流程示意圖；

圖4所示為第二保護層形成底切的示意圖。

其中，附圖標記說明如下：

100、200????覆晶封裝件

101、201????基底

103、203????第一保護層

105、205????焊墊

107、207????第二保護層

109?????????開口