[發(fā)明專利]覆晶封裝件及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610099257.2
• 申請(qǐng)日: 2006-07-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101110398A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝爵安;戴豐成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/48
• 分類號(hào): H01L23/48;H01L23/482;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 梁揮;徐金國(guó)

1.一種覆晶封裝件，其特征在于，包括有：

一晶片結(jié)構(gòu)，包括有：

一基底；

復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，形成于該基底上；

一第一保護(hù)層，形成于該基底上，并露出所述焊墊；及

一第二保護(hù)層，形成于該第一保護(hù)層上，該第二保護(hù)層具有復(fù)數(shù)個(gè)第一開(kāi)口及至少一第二開(kāi)口，所述第一開(kāi)口位于所述焊墊上，該第二開(kāi)口位于非所述焊墊所在的區(qū)域，且該第二開(kāi)口的底部的寬度，大于該至少一第二開(kāi)口的頂部的寬度，該至少一第二開(kāi)口的底部面向該第一保護(hù)層；

復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電凸塊，形成于該焊墊上；以及

一基板，具有復(fù)數(shù)個(gè)接點(diǎn)，對(duì)應(yīng)于所述導(dǎo)電凸塊設(shè)置，所述接點(diǎn)分別與所述導(dǎo)電凸塊電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的覆晶封裝件，其特征在于，進(jìn)一步包括有一底膠，填充于該基板及該晶片結(jié)構(gòu)之間，并填入該第二開(kāi)口內(nèi)。

3.如權(quán)利要求1所述的覆晶封裝件，其特征在于，其中所述第一開(kāi)口的底部的寬度大于所述第一開(kāi)口頂部的寬度，且所述第一開(kāi)口的底部面向該第一保護(hù)層。

4.如權(quán)利要求1所述的覆晶封裝件，其特征在于，其中該晶片結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括一凸塊下金屬層，形成于該導(dǎo)電凸塊與該焊墊之間。

5.一種形成覆晶封裝件的方法，其特征在于，包括有：

提供一基底；

形成一第一保護(hù)層及復(fù)數(shù)個(gè)焊墊于該基底，且該焊墊露出于該第一保護(hù)層中；

形成一第二保護(hù)層于該第一保護(hù)層上，并曝顯形成復(fù)數(shù)個(gè)第一開(kāi)口及至少一第二開(kāi)口，該至少一第二開(kāi)口的底部的寬度，大于該至少一第二開(kāi)口的頂部的寬度，該至少一第二開(kāi)口的底部面向該第一保護(hù)層；

形成復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電凸塊于所述第一開(kāi)口中；

切割該基底以形成多數(shù)個(gè)晶片結(jié)構(gòu)；

提供一基板；

覆晶所述晶片結(jié)構(gòu)之一于該基板上；以及

在該晶片結(jié)構(gòu)與該基板間填充一底膠。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，其中在形成所述第一開(kāi)口后，進(jìn)一步包括：

在該第二保護(hù)層與所述焊墊上沉積一凸塊下金屬層；及

在該凸塊下金屬層之上形成一第一光阻層。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，其中在形成該第一光阻層的步驟后，進(jìn)一步包括有：

蝕刻部分的該凸塊下金屬層，并移除該第一光阻層；

形成一第二光阻層；

圖案化該第二光阻層，使該第二光阻層具有復(fù)數(shù)個(gè)光阻層開(kāi)口，所述光阻層開(kāi)口位于所述第一開(kāi)口的上方；

在所述第一開(kāi)口內(nèi)填充一導(dǎo)電材料；以及

回焊該導(dǎo)電材料，并移除該第二光阻層以形成所述導(dǎo)電凸塊。

8.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，其中形成該第二保護(hù)層的步驟中進(jìn)一步包括有：

在該第一保護(hù)層上涂布該第二保護(hù)層，該第二保護(hù)層的材質(zhì)為感光性聚酰亞胺(photosensitive?polyimide)；

使用一光罩以對(duì)該第二保護(hù)層進(jìn)行曝光；及

對(duì)該第二保護(hù)層進(jìn)行過(guò)度顯影，以形成所述第一開(kāi)口及該至少一第二開(kāi)口。

9.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，其中對(duì)該第二保護(hù)層進(jìn)行曝光的步驟中進(jìn)一步包括有：

調(diào)整一曝光機(jī)的曝光焦距，使得進(jìn)行曝光時(shí)的光線焦點(diǎn)位于該第二保護(hù)層的上方形成銳角。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，其中形成該第二保護(hù)層的步驟包括有：

涂布該第二保護(hù)層于該第一保護(hù)層上，該第二保護(hù)層的材質(zhì)為感光性聚酰亞胺(photosensitive?polyimide)；

使用一光罩以對(duì)該第二保護(hù)層進(jìn)行曝光，進(jìn)行曝光時(shí)的光線焦點(diǎn)位于該第二保護(hù)層的上方；及

對(duì)該第二保護(hù)層進(jìn)行顯影以形成所述第一開(kāi)口及該至少一第二開(kāi)口。