[發(fā)明專(zhuān)利]覆晶封裝結(jié)構(gòu)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610099190.2
• 申請(qǐng)日: 2006-08-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101118885A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王俊恒;沈更新
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南茂科技股份有限公司;百慕達(dá)南茂科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/48
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/48;H01L23/28
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種覆晶封裝結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種將晶片覆于軟性承載器上的覆晶封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

覆晶封裝技術(shù)(Flip?Chip?Package?Technology)主要是在晶片的主動(dòng)表面(active?surface)上配置多個(gè)焊墊(bonding?pad)，并分別在這些焊墊上形成凸塊(bump)，藉由焊墊上的凸塊即可電性(electrically)連接至軟性承載器(flexible?carrier)上，其中軟性承載器例如是軟性電路板(Flexible?Printed?Circuit?board，簡(jiǎn)稱(chēng)FPC)。值得注意的是，由于覆晶接合技術(shù)可應(yīng)用于高接腳數(shù)(High?Pin?Count)的晶片封裝結(jié)構(gòu)，并具有縮小封裝面積及縮短訊號(hào)傳輸路徑等諸多優(yōu)點(diǎn)，使得覆晶封裝技術(shù)目前已被廣泛地應(yīng)用在晶片封裝領(lǐng)域。

圖1為現(xiàn)有的一種覆晶封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。請(qǐng)參考圖1，現(xiàn)有的覆晶封裝結(jié)構(gòu)100包括一晶片110、一軟性承載器120、多個(gè)凸塊130及一底膠層(underfill?layer)140。晶片110具有一主動(dòng)表面112、多個(gè)焊墊114，其中焊墊114位于主動(dòng)表面112上，而凸塊130即是配置于焊墊114上。晶片110即可經(jīng)由這些凸塊130來(lái)與軟性承載器120電性連接。此外，在晶片110以及軟性承載器120之間形成底膠層140以包覆凸塊130，其中底膠層140用以緩沖晶片110與軟性承載器120之間所產(chǎn)生的熱應(yīng)力(thermalstress)。

承上所述，若要使晶片110經(jīng)由凸塊130與軟性承載器120電性連接，則須對(duì)覆晶封裝結(jié)構(gòu)100進(jìn)行一回焊(reflow)制程。值得注意的是，在回焊制程中，軟性承載器120會(huì)受熱而膨脹，而在完成回焊制程后，環(huán)境溫度的降低以及軟性承載器120本身的可撓性質(zhì)將會(huì)使得軟性承載器120產(chǎn)生收縮變形的現(xiàn)象。如此一來(lái)，欲在晶片110以及軟性承載器120之間澆注底膠材料以形成包覆凸塊130的底膠層140時(shí)，底膠材料便無(wú)法完全充滿(mǎn)晶片110與軟性承載器120間，使得底膠層140具有多個(gè)孔洞(void)142。

然而，底膠層具有多個(gè)孔洞將使得底膠層無(wú)法完全包覆凸塊，部分凸塊即暴露于環(huán)境中。換言之，凸塊容易受到外界影響而產(chǎn)生裂縫，進(jìn)而影響到覆晶封裝結(jié)構(gòu)的可靠度。因此，如何減少底膠層中的孔洞產(chǎn)生以提高覆晶封裝結(jié)構(gòu)的可靠度是一重要課題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種覆晶封裝結(jié)構(gòu)，可藉由在晶片的主動(dòng)表面上配設(shè)多個(gè)擬凸塊以減少軟性承載器的變形量，進(jìn)而減少底膠層中的孔洞產(chǎn)生。

為達(dá)本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明提出一種覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其包括一晶片、一軟性承載器、多個(gè)凸塊、多個(gè)擬凸塊以及一底膠層。晶片具有一主動(dòng)表面與配置于主動(dòng)表面的多個(gè)焊墊，而軟性承載器則具有一軟性基板與一配置于軟性基板上的線路層。此外，凸塊是配置于焊墊上，其中線路層是經(jīng)由凸塊與焊墊電性連接。另外，擬凸塊是配置于主動(dòng)表面上，其中軟性承載器經(jīng)由擬凸塊與晶片的主動(dòng)表面連接，而底膠層則是位于晶片以及軟性承載器之間，以包覆這些凸塊以及這些擬凸塊。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，晶片例如更包括配置于主動(dòng)表面上的多個(gè)擬焊墊，而這些擬凸塊配置于這些擬焊墊上。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，線路層例如是經(jīng)由這些擬凸塊與這些擬焊墊電性連接。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，軟性承載器更包括一配置于線路層上的防焊層，且防焊層暴露出與這些凸塊以及這些擬凸塊電性連接的線路層。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，凸塊例如是金凸塊。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，擬凸塊例如是金凸塊。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，覆晶封裝結(jié)構(gòu)例如更包括一導(dǎo)電材料，其中導(dǎo)電材料配置于線路層與凸塊以及線路層與擬凸塊之間，且線路層經(jīng)由導(dǎo)電材料與凸塊以及擬凸塊電性連接。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，導(dǎo)電材料例如是焊料、導(dǎo)電型B階膠材、異方性導(dǎo)電膠或異方性導(dǎo)電膜。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，軟性承載器例如是軟性電路板。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，軟性基板的材料例如是聚亞酰胺。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，線路層的材料例如是銅。

基于上述，本發(fā)明在晶片的主動(dòng)表面上配設(shè)多個(gè)擬凸塊，這些擬凸塊在晶片與軟性承載器電性連接的過(guò)程中有助于軟性承載器的表面變形量較不明顯。因此，當(dāng)?shù)啄z材料注入晶片與軟性承載器之間所圍成的空間而形成底膠層時(shí)，底膠材料可平順地注入，因而可降低底膠層的內(nèi)部形成孔洞的機(jī)率，進(jìn)而提高底膠填充制程的良率。