[發明專利]反射式偏光擴散膜的結構及制法

無效

• 申請號: 200610098761.0
• 申請日: 2006-07-12
• 公開（公告）號: CN101105540A
• 公開（公告）日: 2008-01-16
• 發明（設計）人: 楊允斌;廖啟文;曾杞良
• 申請（專利權）人: 宣茂科技股份有限公司
• 主分類號: G02B1/10
• 分類號: G02B1/10
• 代理公司: 北京申翔知識產權代理有限公司
• 代理人: 周春發

1.一種反射式偏光擴散膜的制法，包括：

將一化合物奈米粉末混入一聚合物，形成一高反射聚合物；

將該高反射化合聚合物涂布于一基板的一側表面形成一遮蔽反射層；

于該遮蔽反射層上形成多數個溝槽；及

于該遮蔽反射層上形成一擴散層。

2.如權利要求1所述的反射式偏光擴散膜的制法，其中該溝槽是以一模具，使該模具以滾壓或沖壓形成的。

3.如權利要求2所述的反射式偏光擴散膜的制法，其中該遮蔽反射層上形成多數個溝槽后予以固化。

4.如權利要求1所述的反射式偏光擴散膜的制法，其中該擴散層以高溫烘烤予以固化。

5.如權利要求1所述的反射式偏光擴散膜的制法，其中該化合物奈米粉末可選擇介電常數10以上的材料，依據選用的材料的介電常數ε，由下列方程式定義聚合物遮蔽反射層的反射率r，以及高反射化合物奈米粉末相對于可使用UV固化的聚合物的體積百分比v(％)，

第一式$r=\frac{\sqrt{{\mathrm{\ϵ}}_r-1}}{\sqrt{{\mathrm{\ϵ}}_r+1}};$

第二式$v(\%)=\frac{(\sqrt{{\mathrm{\ϵ}}_r}-\sqrt{{\mathrm{\ϵ}}_m})}{\left(\sqrt{{\mathrm{\ϵ}}_1-\sqrt{{\mathrm{\ϵ}}_m}}\right)+\left(\sqrt{{\mathrm{\ϵ}}_2-\sqrt{{\mathrm{\ϵ}}_m}}\right)+...+\left(\sqrt{{\mathrm{\ϵ}}_i-\sqrt{{\mathrm{\ϵ}}_m}}\right)};$

其中第一式εr??為聚合物遮蔽反射層的介電常數；

其中第二式εm為可UV固化聚合物的介電常數；

ε1為第一種高反射化合物奈米粉末的介電常數；

ε2為第二種高反射化合物奈米粉末的介電常數；及

εi為第i種高反射化合物奈米粉末的介電常數。