[發明專利]低溫直接沉積多晶硅薄膜晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 200610098711.2
• 申請日: 2006-07-06
• 公開（公告）號: CN101064256A
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發明（設計）人: 王敏全;彭逸軒;翁得期;王亮棠;黃志仁
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司
• 代理人: 王光輝

1、一種用于制造薄膜晶體管裝置的方法，其特征是包含：

提供基板；

在該基板上形成圖案化第一金屬層定義柵極；

在該圖案化第一金屬層上方形成絕緣層；

在該絕緣層上方形成非晶硅層；

在該非晶硅層上方形成第一多晶硅層；

在該第一多晶硅層上方形成第二多晶硅層；

對該第二多晶硅層加以摻雜以形成摻雜多晶硅層；

圖案化上述這些非晶硅層、第一多晶硅層及摻雜多晶硅層以形成該薄膜晶體管裝置的作用區域層；

在該作用區域層上方形成圖案化第二金屬層定義源極/漏極，使該摻雜多晶硅層的一部分曝光；及

移除部份摻雜多晶硅，使第一多晶硅層的一部份曝光，且曝光的第一多晶硅層部份定義了TFT的溝道區域。

2、根據權利要求1所述的方法，其特征是進一步包含在形成該作用區域層之后，于該圖案化第一金屬層中形成多個接觸孔。

3、根據權利要求1所述的方法，其特征是進一步包含原地形成該絕緣層與該非晶硅層。

4、根據權利要求1所述的方法，其特征是進一步包含原地形成該第一多晶硅層與該第二多晶硅層。

5、根據權利要求1所述的方法，其特征是進一步包含原地形成該第一多晶硅層與該摻雜多晶硅層。

6、根據權利要求1所述的方法，其特征是進一步包含通過高密度等離子體化學氣相沉積處理形成該第一多晶硅層與該第二多晶硅層。

7、根據權利要求6所述的方法，其特征是該高密度等離子體化學氣相沉積處理包括電子回旋共振CVD與感應耦合等離子體CVD中的一個。

8、一種用于制造薄膜晶體管裝置的方法，其特征是包含：

提供基板；

在該基板上形成圖案化第一金屬層定義柵極；

在該圖案化第一金屬層上方形成絕緣層；

在該絕緣層上方形成非晶硅層；

在該非晶硅層上方形成多晶硅層；

在該多晶硅層上方形成摻雜多晶硅層；

在該摻雜多晶硅層上方形成圖案化第二金屬層定義源極/漏極；

圖案化上述這些非晶硅層、多晶硅層及摻雜多晶硅層，使該摻雜多晶硅層的一部分曝光并移除曝光部份的摻雜多晶硅；及

使多晶硅層的一部份曝光，且曝光的多晶硅層部份定義溝道區域。

9、根據權利要求8所述的方法，其特征是進一步包含在圖案化上述這些非晶硅層、多晶硅層及摻雜多晶硅層之后，于該圖案化第一金屬層中形成多個接觸孔。

10、根據權利要求8所述的方法，其特征是進一步包含原地形成該絕緣層與該非晶硅層。

11、根據權利要求8所述的方法，其特征是進一步包含原地形成該多晶硅層與該摻雜多晶硅層。

12、根據權利要求8所述的方法，其特征是進一步包含于高密度等離子體化學氣相沉積處理中形成該多晶硅層與該摻雜多晶硅層。

13、根據權利要求12所述的方法，其特征是該高密度等離子體化學氣相沉積處理包括電子回旋共振CVD與感應耦合等離子體CVD中的一個。

14、一種半導體裝置，其特征是包含：

基板；

形成于該基板上的圖案化第一金屬層，其中該第一金屬層定義柵極；

形成于該圖案化第一金屬層上方的絕緣層；

形成于該絕緣層上方的圖案化非晶硅層；

形成于該圖案化非晶硅層上方的圖案化多晶硅層；

形成于該圖案化多晶硅層上方的摻雜、圖案化多晶硅層，其中該圖案化多晶硅層的一部份曝光，且曝光部份的圖案化多晶硅層定義溝道區域；及

形成于該摻雜、圖案化多晶硅層上方的圖案化第二金屬層，其中該第二金屬層定義源極/漏極。

15、根據權利要求14所述的裝置，其特征是上述這些圖案化非晶硅層、圖案化多晶硅層及摻雜、圖案化多晶硅層定義該半導體裝置的作用區域層。

16、根據權利要求14所述的裝置，其特征是進一步包含在該圖案化第一金屬層與該圖案化第二金屬層之間延伸的多個接觸孔。