[發(fā)明專利]內(nèi)埋式晶片封裝結(jié)構(gòu)及其制程

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610090260.8
• 申請(qǐng)日: 2006-07-11
• 公開（公告）號(hào): CN101106094A
• 公開（公告）日: 2008-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭振華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/50
• 分類號(hào): H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L25/00;H01L23/488;H01L23/31
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種內(nèi)埋式晶片封裝制程，其特征在于其包括：

提供一第一基板，該第一基板上具有一第一圖案化線路層，該第一圖案化線路層具有至少一第一焊墊，將一第一晶片配置于該第一焊墊上且與該第一圖案化線路層電性連接；

提供一第二基板，該第二基板上具有一第二圖案化線路層，該第二圖案化線路層具有至少一第二焊墊，將一第二晶片配置于該第二焊墊上且與該第二圖案化線路層電性連接；

將一介電材料覆蓋于該第一圖案化線路層與該第一晶片上；以及

進(jìn)行一壓合步驟，將該第二基板覆蓋于該介電材料上，且該第二基板上的該第二圖案化線路層以及該第二晶片內(nèi)埋于該介電材料中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的內(nèi)埋式晶片封裝制程，其特征在于其中該第一晶片配置于該第一圖案化線路層以及該第二晶片配置于該第二圖案化線路層的方法為覆晶接合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的內(nèi)埋式晶片封裝制程，其特征在于其中將該介電材料包括一膠片，該膠片由半固化樹脂材料膠化而成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的內(nèi)埋式晶片封裝制程，其特征在于其中進(jìn)行壓合步驟之后，更包括一固化步驟，以固化該介電材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的內(nèi)埋式晶片封裝制程，其特征在于其中在進(jìn)行固化步驟之后，更包括移除該第一基板以及該第二基板。

6.根據(jù)權(quán)利要求5的內(nèi)埋式晶片封裝制程，其特征在于其中在移除該第一基板以及該第二基板之后，更包括于該介電材料中形成至少一導(dǎo)電貫孔，使該第一圖案化線路層電性連接該第二圖案化線路層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的內(nèi)埋式晶片封裝制程，其特征在于其中該第一圖案化線路層對(duì)應(yīng)于該導(dǎo)電貫孔的一端配置一第一接點(diǎn)，而該第二圖案化線路層對(duì)應(yīng)于該導(dǎo)電貫孔的另一端配置一第二接點(diǎn)，且該第一接點(diǎn)與該第二接點(diǎn)藉由該導(dǎo)電貫孔相互導(dǎo)通。

8.根據(jù)權(quán)利要求6的內(nèi)埋式晶片封裝制程，其特征在于其中在移除該第一基板以及該第二基板之后，更包括：

形成一第一介電層于該第一圖案化線路層上；

形成至少一第一導(dǎo)電孔于該第一介電層中，并電性連接該第一焊墊；

形成一第二介電層于該第二圖案化線路層上；以及

形成至少一第二導(dǎo)電孔于該第二介電層中，并電性連接該第二焊墊。

9.一種內(nèi)埋式晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括：

一介電材料層；

一第一圖案化線路層，內(nèi)埋于該介電材料層的一邊內(nèi)，包括至少一第一焊墊以及至少一第一接點(diǎn)；

一第一晶片，內(nèi)埋于該介電材料層中，并與該第一焊墊電性連接；

一第二圖案化線路層，內(nèi)埋于該介電材料層的另一邊內(nèi)，包括至少一第二焊墊以及至少一第二接點(diǎn)；以及

一第二晶片，內(nèi)埋于該介電材料層中，并與該第二焊墊電性連接，其中該介電材料層中具有至少一導(dǎo)電貫孔，而該導(dǎo)電貫孔分別連接該第一接點(diǎn)與該第二接點(diǎn)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的內(nèi)埋式晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第一晶片與該第一圖案化線路層以及該第二晶片與該第二圖案化線路層間電性連接的型態(tài)為覆晶接合。

11.根據(jù)權(quán)利要求9的內(nèi)埋式晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該介電材料層的材質(zhì)包括玻璃環(huán)氧基樹脂、雙順丁烯二酸酰亞胺或環(huán)氧樹脂。