[發明專利]一種生長立方織構釔穩定二氧化鋯膜層的方法

有效

• 申請號: 200610089047.5
• 申請日: 2006-07-31
• 公開（公告）號: CN101117704A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發明（設計）人: 楊堅;劉慧舟;屈飛
• 申請（專利權）人: 北京有色金屬研究總院
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54;C23C14/08
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 程鳳儒

1、一種生長立方織構釔穩定二氧化鋯膜層的方法，其特征在于，該方法包括下述步驟：

(1)、將具有立方織構的金屬襯底，或帶有立方織構氧化物隔離層的金屬襯底，或具有立方結構或贗立方結構的單晶襯底進行清潔處理；

(2)、清洗后的上述襯底置于磁控濺射沉積腔體中，抽真空至腔體的背底真空小于或等于5×10^-4Pa；將襯底加熱至600-850℃，再充氬氣至腔體氣壓1×10^-1Pa-8×10^-1Pa；以Zr-Y金屬為濺射靶材，采用直流磁控濺射沉積方法，開始預濺射，所述的預濺射為非正式濺射，采取遮擋的方式，用遮擋物將襯底遮擋住，使預濺射的產物不能沉積到襯底上；

(3)、預濺射20分鐘后，通入水氣，使沉積腔體內的水含量控制在1×10^-3-3.5×10^-2Pa，并調控制沉積腔體內壓力至1Pa-5Pa，在預濺射結束后、開始正式濺射沉積前，撤掉遮擋物，開始正式濺射沉積，沉積完后，即得釔穩定二氧化鋯膜。

2、根據權利要求1所述的生長立方織構釔穩定二氧化鋯膜層的方法，其特征在于：在所述的步驟(2)中，所述的濺射靶材和襯底的距離即靶基距為60-150mm。

3、根據權利要求1或2所述的生長立方織構釔穩定二氧化鋯膜層的方法，其特征在于：在所述的步驟(2)、(3)中，所述的預濺射和正式濺射的濺射功率為100-400W。

4、根據權利要求1或2所述的生長立方織構釔穩定二氧化鋯膜層的方法，其特征在于：在所述的步驟(2)的充氬氣至腔體內的過程中，是采用管路直接將氬氣通向濺射靶材的靶材面。

5、根據權利要求1或2所述的生長立方織構釔穩定二氧化鋯膜層的方法，其特征在于：在所述的步驟(3)的通入水氣至腔體內的過程中，是采用管路直接將水氣通向襯底的沉積面。

6、根據權利要求1或2所述的生長立方織構釔穩定二氧化鋯膜層的方法，其特征在于：在所述的步驟(2)中，所述的襯底的加熱溫度為650-780℃。

7、根據權利要求1或2所述的生長立方織構釔穩定二氧化鋯膜層的方法，其特征在于：所述的氬氣為純度≥99.999％的氬氣。