[發明專利]自動對準凹入式柵極金氧半導體晶體管元件的制作方法

有效

• 申請號: 200610084285.7
• 申請日: 2006-05-30
• 公開（公告）號: CN101083229A
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發明（設計）人: 李友弼;林瑄智;何家銘
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1.一種自動對準凹入式柵極MOS晶體管元件的制作方法，包含有：

提供半導體基底，其中該半導體基底具有主表面；

于該半導體基底中形成多個溝槽電容，其中各該多個溝槽電容上皆有溝槽上蓋層，凸出該主表面；

于該半導體基底上沉積氮化硅層，使其覆蓋該溝槽上蓋層的上表面以及側壁；

于該氮化硅層上沉積多晶硅層；

各向異性蝕刻該多晶硅層，以于該溝槽上蓋層的側壁上形成多晶硅側壁子；

氧化該多晶硅側壁子，形成硅氧側壁子；

利用該硅氧側壁子作為蝕刻硬掩模，蝕刻該氮化硅層以及該半導體基底，形成柵極溝槽；

于該柵極溝槽的側壁以及底部上形成柵極介電層；以及

于該柵極介電層上形成柵極材料層，并使其填滿該柵極溝槽。

2.如權利要求1的自動對準凹入式柵極MOS晶體管元件的制作方法，其中該溝槽上蓋層為硅氧層。

3.如權利要求1的自動對準凹入式柵極MOS晶體管元件的制作方法，其中該柵極材料層包含有多晶硅。

4.如權利要求1的自動對準凹入式柵極MOS晶體管元件的制作方法，其中該方法在于該氮化硅層上沉積該多晶硅層之后，并于各向異性蝕刻該多晶硅層之前，另包含有下列步驟：

進行斜角度離子注入工藝，將BF₂雜質注入該溝槽上蓋層相對應的兩側側壁上的該多晶硅層中。

5.如權利要求1的自動對準凹入式柵極MOS晶體管元件的制作方法，其中該方法在形成該柵極材料層，使其填滿該柵極溝槽之后，另包含有下列步驟：

回蝕刻該柵極材料層，暴露出該溝槽上蓋層；以及

去除剩下的該硅氧側壁子以及該氮化硅層。