[發明專利]形成金屬氧化物半導體晶體管的方法

無效

• 申請號: 200610084227.4
• 申請日: 2006-05-29
• 公開（公告）號: CN101083212A
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發明（設計）人: 陳能國;鄒世芳;蔡騰群;黃建中
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/8238
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1.一種形成金屬氧化物半導體晶體管的方法，包括:

提供基底；

于該基底上形成金屬氧化物半導體晶體管；

于該基底上沉積氮化硅接觸窗蝕刻中止層，以覆蓋該金屬氧化物半導體晶體管；以及

對該氮化硅接觸窗蝕刻中止層進行紫外線固化程序，同時對該基底進行紅外線處理，其中該紅外線處理的功率密度是在0.7～14.1W/cm²之間。

2.如權利要求1所述的形成金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該紅外線處理的功率密度是在1.4～7.0W/cm²之間。

3.如權利要求1所述的形成金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該紫外線固化程序的溫度在攝氏150度至攝氏700度之間。

4.如權利要求1所述的形成金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該紫外線固化程序的時間在10秒至60分鐘之間。

5.如權利要求1所述的形成金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該紫外線固化程序的UV光波長包含100nm～400nm波長區間。

6.如權利要求1所述的形成金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中于該基底上形成該金屬氧化物半導體晶體管的步驟后，還包括進行自行對準金屬硅化工藝。

7.如權利要求1所述的形成金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中于該基底上沉積該氮化硅接觸窗蝕刻中止層的方法包括利用化學氣相沉積工藝于該基底上沉積氮化硅層。

8.如權利要求1所述的形成金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該氮化硅接觸窗蝕刻中止層包括壓縮介電層或張力介電層。

9.一種形成金屬氧化物半導體晶體管的方法，包括:

提供基底；

于該基底上形成金屬氧化物半導體晶體管；

進行自行對準金屬硅化工藝；以及

對該基底進行紅外線處理，以修補該基底中的損傷，其中該紅外線處理的功率密度是在0.7～14.1W/cm²之間。

10.如權利要求9所述的形成金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中該紅外線處理的功率密度是在1.4～7.0W/cm²之間。

11.如權利要求9所述的形成金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中對該基底進行該紅外線處理之后還包括:于該基底上沉積接觸窗蝕刻中止層，以覆蓋該金屬氧化物半導體晶體管。

12.如權利要求11所述的形成金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中于該基底上沉積該接觸窗蝕刻中止層的方法包括利用化學氣相沉積工藝于該基底上沉積氮化硅層。

13.如權利要求11所述的形成金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中當該金屬氧化物半導體晶體管是PMOS，則該接觸窗蝕刻中止層為壓縮介電層。

14.如權利要求11所述的形成金屬氧化物半導體晶體管的方法，其中當該金屬氧化物半導體晶體管是NMOS，則該接觸窗蝕刻中止層為張力介電層。