[發明專利]一種防止DGS的像素電極結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200610082969.3
• 申請日: 2006-06-23
• 公開（公告）號: CN101093842A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發明（設計）人: 陳旭
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/52;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/133
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉芳

1、一種防止DGS的像素電極結構，包括：柵線、柵電極、柵絕緣層、半導體層、源漏電極、數據線及像素電極，其特征在于：在漏電極與數據線連接處附近下方的半導體層上有一孔道，孔道中漏電極或數據線直接與柵絕緣層相連。

2、根據權利要求1所述的像素電極結構，其特征在于：所述孔道為長方形，或長方形與半圓形、橢圓形、三角形、圓弧形的結合。

3、根據權利要求1所述的像素電極結構，其特征在于：所述柵線、柵電極為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr之一或任意所組成的復合膜。

4、根據權利要求1所述的像素電極結構，其特征在于：所述柵絕緣層為SiNx、SiOx或SiOxNy的單層膜，或者為SiNx、SiOx、SiOxNy之一或任意所組成的復合膜。

5、根據權利要求1所述的像素電極結構，其特征在于：所述源漏電極為Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為Mo、MoW、Cr之一或任意組成復合膜。

6、一種防止DGS的像素電極結構的制造方法，其特征在于，包括：

步驟一，在基板上沉積柵金屬薄膜，然后通過掩膜和刻蝕形成柵線和柵電極；

步驟二，在完成步驟一的基板上沉積柵絕緣薄膜，半導體薄膜，通過掩膜和刻蝕形成硅島，并同時在后續步驟形成數據線與漏電極連接處的附近位置的半導體層上形成一孔道；

步驟三，在完成步驟二的基板上沉積源漏金屬薄膜，通過掩膜和刻蝕形成數據線和源漏電極；

步驟四，在完成步驟三的基板上沉積鈍化保護薄膜，通過掩膜和刻蝕，形成鈍化層過孔和對溝道的保護；

步驟五，在完成步驟四的基板上沉積像素電極薄膜，通過掩膜和刻蝕形成像素電極并通過過孔使像素電極與源電極接觸導通。

7、根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于：所述步驟一中沉積得到的柵金屬薄膜為Mo/AlNd/Mo或AlNd/Mo金屬的復合膜，或者AlNd、Al、Cu之一或任意與Mo、MoW、Cr之一或任意所組成的復合膜。

8、根據權利要求6所述的一種有源驅動TFT矩陣結構制造方法，其特征在于：所述步驟二中沉積得到的柵絕緣薄膜為SiNx、SiOx或SiOxNy的單層膜或者SiNx、SiOx、SiOxNy之一或任意所組成的復合膜。

9、根據權利要求6所述的一種有源驅動TFT矩陣結構制造方法，其特征在于：所述步驟三中沉積得到源漏金屬薄膜為Mo、MoW或Cr的單層膜或Mo、MoW、Cr之一或任意組成復合膜。