[發明專利]反射蓋形成方法及其結構以及利用該反射蓋的承載裝置無效
| 申請號: | 200610080974.0 | 申請日: | 2006-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN101079457A | 公開(公告)日: | 2007-11-28 |
| 發明(設計)人: | 張正興;謝榮修;陳國湖;吳景雅;李敏麗 | 申請(專利權)人: | 鋐鑫電光科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京申翔知識產權代理有限公司 | 代理人: | 周春發 |
| 地址: | 臺灣省桃園*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反射 形成 方法 及其 結構 以及 利用 承載 裝置 | ||
技術領域
本發明有關于反射蓋形成方法及其結構以及利用該反射蓋的承載裝置,尤指一種發光二極管的陶瓷反射蓋的塑形方法,并可選擇發光二極管承載裝置的承載角度。
背景技術
由于,發光二極管具備有體積小、低耗電、低熱度以及壽命長等特性,如圣誕燈飾、手電筒、車輛信號燈、交通標志等商品,已逐漸利用發光二極管所替代功能相近的傳統鎢絲燈泡;又,一般發光二極管的基本構造,是在一透明封裝體的內部設有不同極性的導電端以及一承載部,其承載部處設有一芯片,另設有金線構成芯片的電極層與導電端的連接,而各導電端并延伸出透明封裝體外部成為電源接點。
而發光二極管發光光譜或亮度特性,主要是由構成發光二極管芯片的化合物半導體所決定,發光亮度或視野角度等光的特性則受發光二極管芯片的封裝基板影響很大。
而習知的發光二極管封裝結構中,可采取反射蓋來反射發光二極管芯片所發出的光,一般而言,反射蓋的制作方式有鉆孔加工的方式、沖壓法與壓合的方式,但上述各加工方式的成本高、斜面粗糙而不利于光反射的模式、反射蓋的孔形受到限制、無法制作積層線路,因此無法降低發光二極管的封裝成本且無法增加發光二極管的取光效率。
發明內容
有鑒于此,本發明的主要目的是以厚膜印刷方式于生胚結構上形成有金屬結構,尤其是印刷反射銀層,取代習的的鍍膜技術并可提升發光二極管的取光效率,且利用熱壓的壓合方式應用于以陶瓷生胚為主的反射蓋上,可制作發光二極管光形設計所需反射蓋孔形與角度,解決陶瓷反射蓋塑形不易的問題。
為達上述目的,本發明的發光二極管成型方式是提供第一、二生胚結構該第一生胚結構并設有第一開孔圖案,并將第二生胚結構設置于第一生胚結構上,而第二生胚結構涂布有一金屬結構,最后再使第二生胚結構得以沿第一生胚結構的開孔圖案而塑形并覆蓋于第一生胚結構上。
附圖說明
圖1為本發明中發光二極管成型方式的流程步驟圖;
圖2為本發明中的一實施例反射蓋材料結構的剖面示意圖;
圖3為本發明中發光二極管的成型結構剖面示意圖;
圖4為本發明中的另一實施例反射蓋材料結構的剖面示意圖;
圖5為本發明中發光二極管的另一成型結構剖面示意圖;
圖6為本發明中塑形結構的剖面示意圖;
圖7為本發明中堆棧反射蓋材料結構與塑形結構的剖面示意圖;
圖8為本發明中反射蓋的剖面示意圖;
圖9A、B、C為本發明中反射蓋側壁為一固定斜率的剖面示意圖;
圖10A、B、C為本發明中反射蓋側壁為一曲面的剖面示意圖;
圖11為本發明中堆棧反射蓋材料結構與塑形結構的另一剖面示意圖;
圖12為本發明中的再一實施例反射蓋材料結構的剖面示意圖。
【圖號說明】
10-第一生胚結構
10’-第一陶瓷結構
10a、10b、10c-陶瓷層
11-第一開孔圖案
11’-第一開孔圖案
11a、11b、11c-開孔
20-第二生胚結構
20’-第二陶瓷結構
21-第四開孔圖案
22’-承載凹面
30-金屬結構
30’-金屬結構
32-反射部
33-電極部
40、40’-塑形結構
41-第一離型膜
411-第二開孔圖案
42-第二離型膜
43-平板層
431-第三開孔圖案
44-緩沖層
50-堆棧結構
51-側壁
52-反射蓋面
53-夾角
54-弧角
55-防膠溢流圈
60-基座
61-導熱管
具體實施方式
為能使貴審查員清楚本發明的組成,以及實施方式,茲配合圖式說明如下:
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