[發明專利]反射蓋形成方法及其結構以及利用該反射蓋的承載裝置

無效

• 申請號: 200610080974.0
• 申請日: 2006-05-26
• 公開（公告）號: CN101079457A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 張正興;謝榮修;陳國湖;吳景雅;李敏麗
• 申請（專利權）人: 鋐鑫電光科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京申翔知識產權代理有限公司
• 代理人: 周春發

1.一種發光二極管的反射蓋的形成方法，包含：

至少一第一生胚結構，其中該第一生胚結構具有一第一開孔圖案；

一第二生胚結構設置于該第一生胚結構上；

一金屬結構于該第二生胚結構上；

以使第二生胚結構得以沿第一生胚結構的開孔圖案而塑形并覆蓋于第一生胚結構上；

金屬結構形成在沿第一生胚上的第一開孔圖案而塑形的第二生胚結構的側壁以及底部上，金屬結構包括反射部和電極部，兩者之間電性絕緣，反射部形成在第二生胚結構依照第一開孔圖案而形成的凹槽的側壁上，該電極部形成在凹槽的底部。

2.如權利要求1所述發光二極管的反射蓋的形成方法，其中該第一生胚結構由多層陶瓷生胚結構堆積而成，且各陶瓷生胚結構是利用沖孔形成開孔，而各開孔則堆棧形成第一開孔圖案。

3.如權利要求1所述發光二極管的反射蓋的形成方法，其中該第二生胚結構由多層陶瓷生胚結構堆積而成。

4.如權利要求1所述發光二極管的反射蓋的形成方法，其中由熱塑形方式或壓合方式使第二生胚結構沿第一生胚結構的開孔圖案而塑形。

5.如權利要求4所述發光二極管的反射蓋的形成方法，其中該熱塑形方式或壓合方式利用一塑形結構熱壓于第二生胚結構上。

6.如權利要求5所述發光二極管的反射蓋的形成方法，其中該塑形結構至少包含有一設于第一、二離型膜間的平板層以及設于第二離型膜上的緩沖層，并利用該第一離型膜接觸金屬結構與第二生胚結構。

7.如權利要求6所述發光二極管的反射蓋的形成方法，其中該第一離型膜與平板層分別設有第二、三開孔圖案，該第二、三開孔圖案與第一開孔圖案的開孔率相同或相異，所形成反射蓋側壁與孔緣之間的形狀與第二、三開孔圖案的開孔率相配合。

8.如權利要求7所述發光二極管的反射蓋的形成方法，該第二、三開孔圖案的開孔率大于第一開孔圖案的開孔率，于塑形的過程中則形成防膠溢流圈的結構。

9.如權利要求1所述發光二極管的反射蓋的形成方法，其中該金屬結構是利用涂布方式或厚膜印刷形成一銀層設置于第二生胚結構上。

10.如權利要求1所述發光二極管的反射蓋的形成方法，其中該金屬結構是于第一、二生胚結構共燒后形成導電或反射層，進一步利用電鍍方式于第二生胚結構表面金屬結構上形成鍍層。

11.如權利要求1所述發光二極管的反射蓋的形成方法，其中于第一生胚結構一側進一步設置一基座。

12.如權利要求11所述發光二極管的反射蓋的形成方法，其中該基座為金屬材質。

13.如權利要求11所述發光二極管的反射蓋的形成方法，其中該基座與第二生胚結構間設有導熱管。

14.一種發光二極管的反射蓋的形成方法，包含：

至少一第一生胚結構，其中該第一生胚結構具有一第一開孔圖案；

一第二生胚結構設置于該第一生胚結構上；

一金屬結構于該第二生胚結構上且相對應于第一開孔圖案，金屬結構包括反射部和電極部，兩者之間電性絕緣，反射部形成在第二生胚結構依照第一開孔圖案而形成的凹槽的側壁上，該電極部形成在凹槽的底部；

利用熱塑形方式或壓合方式使第二生胚結構得以由第一生胚結構的開孔圖案而塑形，而該金屬結構形成第一開孔圖案的側壁及底部。

15.如權利要求14所述發光二極管的反射蓋的形成方法，其中該第一生胚結構由多層陶瓷生胚結構堆積而成，且各陶瓷生胚結構是利用沖孔形成開孔，而各開孔則堆棧形成第一開孔圖案。

16.如權利要求14所述發光二極管的反射蓋的形成方法，其中該第二生胚結構由多層陶瓷生胚結構堆積而成。

17.如權利要求14所述發光二極管的反射蓋的形成方法，其中該熱塑形方式或壓合方式利用一塑形結構熱壓于第二生胚結構上。

18.如權利要求17所述發光二極管的反射蓋的形成方法，其中該塑形結構至少包含有一設于第一、二離型膜間的平板層以及設于第二離型膜上的緩沖層，并利用該第一離型膜接觸金屬結構與第二生胚結構。