[發(fā)明專利]反射蓋形成方法及其結(jié)構(gòu)以及利用該反射蓋的承載裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610080974.0
• 申請(qǐng)日: 2006-05-26
• 公開（公告）號(hào): CN101079457A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張正興;謝榮修;陳國(guó)湖;吳景雅;李敏麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鋐鑫電光科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京申翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 周春發(fā)

1.一種發(fā)光二極管的反射蓋的形成方法，包含：

至少一第一生胚結(jié)構(gòu)，其中該第一生胚結(jié)構(gòu)具有一第一開孔圖案；

一第二生胚結(jié)構(gòu)設(shè)置于該第一生胚結(jié)構(gòu)上；

一金屬結(jié)構(gòu)于該第二生胚結(jié)構(gòu)上；

以使第二生胚結(jié)構(gòu)得以沿第一生胚結(jié)構(gòu)的開孔圖案而塑形并覆蓋于第一生胚結(jié)構(gòu)上；

金屬結(jié)構(gòu)形成在沿第一生胚上的第一開孔圖案而塑形的第二生胚結(jié)構(gòu)的側(cè)壁以及底部上，金屬結(jié)構(gòu)包括反射部和電極部，兩者之間電性絕緣，反射部形成在第二生胚結(jié)構(gòu)依照第一開孔圖案而形成的凹槽的側(cè)壁上，該電極部形成在凹槽的底部。

2.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管的反射蓋的形成方法，其中該第一生胚結(jié)構(gòu)由多層陶瓷生胚結(jié)構(gòu)堆積而成，且各陶瓷生胚結(jié)構(gòu)是利用沖孔形成開孔，而各開孔則堆棧形成第一開孔圖案。

3.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管的反射蓋的形成方法，其中該第二生胚結(jié)構(gòu)由多層陶瓷生胚結(jié)構(gòu)堆積而成。

4.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管的反射蓋的形成方法，其中由熱塑形方式或壓合方式使第二生胚結(jié)構(gòu)沿第一生胚結(jié)構(gòu)的開孔圖案而塑形。

5.如權(quán)利要求4所述發(fā)光二極管的反射蓋的形成方法，其中該熱塑形方式或壓合方式利用一塑形結(jié)構(gòu)熱壓于第二生胚結(jié)構(gòu)上。

6.如權(quán)利要求5所述發(fā)光二極管的反射蓋的形成方法，其中該塑形結(jié)構(gòu)至少包含有一設(shè)于第一、二離型膜間的平板層以及設(shè)于第二離型膜上的緩沖層，并利用該第一離型膜接觸金屬結(jié)構(gòu)與第二生胚結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求6所述發(fā)光二極管的反射蓋的形成方法，其中該第一離型膜與平板層分別設(shè)有第二、三開孔圖案，該第二、三開孔圖案與第一開孔圖案的開孔率相同或相異，所形成反射蓋側(cè)壁與孔緣之間的形狀與第二、三開孔圖案的開孔率相配合。

8.如權(quán)利要求7所述發(fā)光二極管的反射蓋的形成方法，該第二、三開孔圖案的開孔率大于第一開孔圖案的開孔率，于塑形的過程中則形成防膠溢流圈的結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管的反射蓋的形成方法，其中該金屬結(jié)構(gòu)是利用涂布方式或厚膜印刷形成一銀層設(shè)置于第二生胚結(jié)構(gòu)上。

10.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管的反射蓋的形成方法，其中該金屬結(jié)構(gòu)是于第一、二生胚結(jié)構(gòu)共燒后形成導(dǎo)電或反射層，進(jìn)一步利用電鍍方式于第二生胚結(jié)構(gòu)表面金屬結(jié)構(gòu)上形成鍍層。

11.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管的反射蓋的形成方法，其中于第一生胚結(jié)構(gòu)一側(cè)進(jìn)一步設(shè)置一基座。

12.如權(quán)利要求11所述發(fā)光二極管的反射蓋的形成方法，其中該基座為金屬材質(zhì)。

13.如權(quán)利要求11所述發(fā)光二極管的反射蓋的形成方法，其中該基座與第二生胚結(jié)構(gòu)間設(shè)有導(dǎo)熱管。

14.一種發(fā)光二極管的反射蓋的形成方法，包含：

至少一第一生胚結(jié)構(gòu)，其中該第一生胚結(jié)構(gòu)具有一第一開孔圖案；

一第二生胚結(jié)構(gòu)設(shè)置于該第一生胚結(jié)構(gòu)上；

一金屬結(jié)構(gòu)于該第二生胚結(jié)構(gòu)上且相對(duì)應(yīng)于第一開孔圖案，金屬結(jié)構(gòu)包括反射部和電極部，兩者之間電性絕緣，反射部形成在第二生胚結(jié)構(gòu)依照第一開孔圖案而形成的凹槽的側(cè)壁上，該電極部形成在凹槽的底部；

利用熱塑形方式或壓合方式使第二生胚結(jié)構(gòu)得以由第一生胚結(jié)構(gòu)的開孔圖案而塑形，而該金屬結(jié)構(gòu)形成第一開孔圖案的側(cè)壁及底部。

15.如權(quán)利要求14所述發(fā)光二極管的反射蓋的形成方法，其中該第一生胚結(jié)構(gòu)由多層陶瓷生胚結(jié)構(gòu)堆積而成，且各陶瓷生胚結(jié)構(gòu)是利用沖孔形成開孔，而各開孔則堆棧形成第一開孔圖案。

16.如權(quán)利要求14所述發(fā)光二極管的反射蓋的形成方法，其中該第二生胚結(jié)構(gòu)由多層陶瓷生胚結(jié)構(gòu)堆積而成。

17.如權(quán)利要求14所述發(fā)光二極管的反射蓋的形成方法，其中該熱塑形方式或壓合方式利用一塑形結(jié)構(gòu)熱壓于第二生胚結(jié)構(gòu)上。

18.如權(quán)利要求17所述發(fā)光二極管的反射蓋的形成方法，其中該塑形結(jié)構(gòu)至少包含有一設(shè)于第一、二離型膜間的平板層以及設(shè)于第二離型膜上的緩沖層，并利用該第一離型膜接觸金屬結(jié)構(gòu)與第二生胚結(jié)構(gòu)。