[發(fā)明專利]流體噴射裝置及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610080102.4 | 申請日： | 2006-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN101062491A | 公開（公告）日： | 2007-10-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 沈光仁;陳葦霖 | 申請（專利權(quán)）人： | 明基電通股份有限公司 |
| 主分類號： | B05B1/00 | 分類號： | B05B1/00;C23F17/00;B41J2/16;B41J2/135 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人： | 陶鳳波;侯宇 |
| 地址： | 臺灣省*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 流體 噴射 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種流體噴射裝置的制造方法，包括：
提供襯底；
在該襯底上形成圖案化的犧牲層；
形成電鍍起始層，至少包覆該圖案化的犧牲層；
在該電鍍起始層和該襯底上形成結(jié)構(gòu)層；
圖形化該結(jié)構(gòu)層，從而形成噴孔；
移除該噴孔內(nèi)的所述電鍍起始層；移除該犧牲層，從而形成流體腔；及
形成選擇性包覆該結(jié)構(gòu)層及該電鍍起始層的結(jié)構(gòu)保護(hù)層。
2.如權(quán)利要求1所述的流體噴射裝置的制造方法，其中該結(jié)構(gòu)保護(hù)層具有化學(xué)穩(wěn)定性。
3.如權(quán)利要求1所述的流體噴射裝置的制造方法，其中該電鍍起始層包括鈦金屬層和位于該鈦金屬層上的銅金屬層。
4.如權(quán)利要求1所述的流體噴射裝置的制造方法，其中該結(jié)構(gòu)保護(hù)層對于該結(jié)構(gòu)層及該電鍍起始層具有良好的附著性。
5.如權(quán)利要求1所述的流體噴射裝置的制造方法，其中該結(jié)構(gòu)保護(hù)層包括直接接觸該結(jié)構(gòu)層和該電鍍起始層的鎳金屬層、及位于該鎳金屬層上的金金屬層。
6.如權(quán)利要求1所述的流體噴射裝置的制造方法，其中所述形成選擇性包覆該結(jié)構(gòu)層以及該電鍍起始層的結(jié)構(gòu)保護(hù)層的步驟是采用無電鍍工藝。
7.如權(quán)利要求1所述的流體噴射裝置的制造方法，其中該結(jié)構(gòu)層由鎳金屬構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求1所述的流體噴射裝置的制造方法，還包括圖形化該襯底，以形成流體通道，連通該流體腔。
9.如權(quán)利要求1所述的流體噴射裝置的制造方法，在所述在該襯底上形成圖案化的犧牲層的步驟之前，還包括在該襯底上形成流體驅(qū)動元件。
10.一種流體噴射裝置的制造方法，包括：
提供襯底；
在該襯底上形成圖案化的犧牲層；
形成電鍍起始層，至少包覆該圖案化的犧牲層，其中該電鍍起始層為鈦銅復(fù)合層；
在該電鍍起始層和該襯底上電鍍結(jié)構(gòu)層；
圖形化該結(jié)構(gòu)層，從而形成噴孔；
移除該噴孔內(nèi)的所述電鍍起始層；
圖形化該襯底，從而形成流體通道暴露該犧牲層；
移除該犧牲層，從而形成流體腔；及
無電鍍結(jié)構(gòu)保護(hù)層，該結(jié)構(gòu)保護(hù)層包覆該結(jié)構(gòu)層及該電鍍起始層，并填入兩者間的界面，其中該結(jié)構(gòu)保護(hù)層包括直接接觸該結(jié)構(gòu)層和該電鍍起始層的鎳金屬層、以及位于該鎳金屬層上的金金屬層。
11.如權(quán)利要求10所述的流體噴射裝置的制造方法，其中該圖案化的犧牲層由高分子構(gòu)成。
12.如權(quán)利要求10所述的流體噴射裝置的制造方法，其中該結(jié)構(gòu)層由鎳金屬構(gòu)成。
13.一種流體噴射裝置，包括：
襯底；
結(jié)構(gòu)層，位于該襯底上從而形成流體腔，其中該結(jié)構(gòu)層包括噴孔；
電鍍起始層，位于該流體腔的內(nèi)壁上；及
具有化學(xué)穩(wěn)定性的結(jié)構(gòu)保護(hù)層，該結(jié)構(gòu)保護(hù)層包覆該電鍍起始層、該結(jié)構(gòu)層及兩者的界面。
14.如權(quán)利要求13所述的流體噴射裝置，其中該電鍍起始層包括鈦金屬層和位于該鈦金屬層上的銅金屬層。
15.如權(quán)利要求13所述的流體噴射裝置，其中該結(jié)構(gòu)保護(hù)層對于該結(jié)構(gòu)層及該電鍍起始層具有良好的附著性。
16.如權(quán)利要求13所述的流體噴射裝置，其中該結(jié)構(gòu)保護(hù)層包括直接接觸該結(jié)構(gòu)層和該電鍍起始層的鎳金屬層、及位于該鎳金屬層上的金金屬層。
17.如權(quán)利要求13所述的流體噴射裝置，其中該結(jié)構(gòu)層由鎳金屬構(gòu)成。
18.如權(quán)利要求13所述的流體噴射裝置，其中該襯底是硅襯底。
19.如權(quán)利要求13所述的流體噴射裝置，還包括位于該襯底上的流體驅(qū)動裝置。
20.如權(quán)利要求13所述的流體噴射裝置，其中還包括流體通道，位于該襯底中，連通該流體腔。
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