[發(fā)明專利]半導體元件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610077851.1
• 申請日: 2006-05-08
• 公開（公告）號: CN101071823A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發(fā)明（設計）人: 張惠貞;林建廷;許哲華;陳亮瑋;李孟麟;蕭維滄
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1、一種半導體元件，包括：

基底；

柵介電層，配置于該基底上；

柵極，配置于該柵介電層上，而該柵極的頂部面積大于底部面積；

源極/漏極區(qū)，配置于該柵極兩側(cè)的該基底中；以及

應力層，配置于該基底上，并覆蓋于該柵極與該源極/漏極區(qū)上。

2、如權(quán)利要求1所述的半導體元件，還包括淺摻雜區(qū)，配置于該源極/漏極區(qū)與該柵極之間的該基底中。

3、如權(quán)利要求2所述的半導體元件，還包括環(huán)狀注入?yún)^(qū)，配置于該淺摻雜區(qū)下方的該基底中。

4、如權(quán)利要求1所述的半導體元件，還包括金屬硅化物，配置于該柵極與該應力層之間，及該源極/漏極區(qū)與該應力層之間。

5、如權(quán)利要求4所述的半導體元件，其中該金屬硅化物的材料為硅化鈦、硅化鎢、硅化鈷、硅化鎳、硅化鉬或硅化鉑。

6、如權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中該應力層的材料為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

7、如權(quán)利要求1所述的半導體元件，還包括襯氧化層，配置于該柵極的側(cè)壁上。

8、如權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中該襯氧化層的材料包括氧化硅。

9、如權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中該柵極的材料包括摻雜多晶硅。

10、如權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中該基底為硅基底或絕緣層上有硅的基底。

11、一種半導體元件的制造方法，包括：

提供基底，在該基底上由下而上已形成有柵介電層及導體層；

于該導體層上形成圖案化光致抗蝕劑層；

以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模，進行蝕刻工藝，移除部分該導體層以形成柵極，并移除部分該柵介電層，其中該柵極的頂部面積大于底部面積；

移除該圖案化光致抗蝕劑層；

于該柵極的側(cè)壁上形成間隙壁；

于該間隙壁兩側(cè)的該基底中形成源極/漏極區(qū)；

移除該間隙壁；以及

于該基底上形成應力層，并覆蓋該柵極及該源極/漏極區(qū)。

12、如權(quán)利要求11所述的半導體元件的制造方法，其中該蝕刻工藝是使用二組蝕刻氣體進行蝕刻。

13、如權(quán)利要求12所述的半導體元件的制造方法，其中該些蝕刻氣體，一組為氯氣及氧氣，另一組為六氟乙烷、溴化氫及氦氣。

14、如權(quán)利要求11所述的半導體元件的制造方法，于移除該圖案化光致抗蝕劑層之后，還包括于該柵極兩側(cè)的該基底中形成淺摻雜區(qū)。

15、如權(quán)利要求14所述的半導體元件的制造方法，其中該淺摻雜區(qū)的形成方法包括離子注入法。

16、如權(quán)利要求14所述的半導體元件的制造方法，于該淺摻雜區(qū)形成之后，還包括于該淺摻雜區(qū)下方的該基底中形成環(huán)狀注入?yún)^(qū)。

17、如權(quán)利要求16所述的半導體元件的制造方法，其中該環(huán)狀注入?yún)^(qū)的形成方法包括傾斜角離子注入法。

18、如權(quán)利要求11所述的半導體元件的制造方法，于移除該圖案化光致抗蝕劑層之后，還包括于該柵極的側(cè)壁上形成襯氧化層。

19、如權(quán)利要求18所述的半導體元件的制造方法，其中該襯氧化層的形成方法包括熱氧化法。

20、如權(quán)利要求11所述的半導體元件的制造方法，于該源極/漏極區(qū)形成之后，該間隙壁形成之前，還包括于該柵極與該源極/漏極區(qū)上形成金屬硅化物。

21、如權(quán)利要求11所述的半導體元件的制造方法，其中該應力層的形成方法包括化學氣相沉積法。