[發(fā)明專利]壓縮性氮化物層的制造方法和形成晶體管的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610077218.2
• 申請日: 2006-04-30
• 公開（公告）號: CN101064254A
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳能國;蔡騰群;黃建中
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/318
• 分類號: H01L21/318;H01L21/336;H01L21/8238
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1.一種形成金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的方法，包括：

提供基底，該基底具有PMOS區(qū)與NMOS區(qū)；

于該PMOS區(qū)與該NMOS區(qū)的該基底上各形成柵極結(jié)構(gòu)；

于該基底上形成第一緩沖層，以覆蓋各該柵極結(jié)構(gòu)；

于各該柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的該基底中形成源極與漏極；以及

分別于該PMOS區(qū)與該NMOS區(qū)的該基底上沉積壓縮介電層和張力介電層，以覆蓋各該柵極結(jié)構(gòu)與該源極與漏極，其中

沉積該壓縮介電層的方法包括在化學(xué)氣相沉積工藝期間通入特定氣體，其中該特定氣體是選自包括氬氣、氮氣、氪氣和氙氣的其中一種氣體或其組合。

2.如權(quán)利要求1所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的方法，其中該特定氣體是氬氣和氮氣的組合氣體時，氬氣流量包括在100sccm～5000sccm之間以及氮氣流量包括在1000sccm～30000sccm之間。

3.如權(quán)利要求1所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的方法，其中該化學(xué)氣相沉積工藝所采用的低頻功率包括在50W～3000W之間。

4.如權(quán)利要求1所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的方法，其中形成該源極與漏極之后與形成該第一緩沖層之前，還包括于各該柵極結(jié)構(gòu)頂面以及該源極與漏極的表面形成金屬硅化物層。

5.如權(quán)利要求1所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的方法，其中在沉積該壓縮介電層之后沉積該張力介電層。

6.如權(quán)利要求5所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的方法，其中沉積該壓縮介電層之后以及沉積該張力介電層之前，還包括于該基底上形成第二緩沖層，以覆蓋該壓縮介電層。

7.如權(quán)利要求1所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的方法，其中在沉積該張力介電層之后沉積該壓縮介電層。

8.如權(quán)利要求7所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的方法，其中沉積該張力介電層之后以及沉積該壓縮介電層之前，還包括于該基底上形成第二緩沖層，以覆蓋該張力介電層。

9.如權(quán)利要求1所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的方法，其中所沉積的該壓縮介電層包括氮化硅層、含碳的氮化硅層或含氧的氮化硅層。

10.如權(quán)利要求1所述的形成金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的方法，其中該基底包括在(100)晶面有<100>晶向。