[發明專利]非易失性存儲器的制造方法

無效

• 申請號: 200610077052.4
• 申請日: 2006-04-26
• 公開（公告）號: CN101064284A
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發明（設計）人: 張格滎;張骕遠
• 申請（專利權）人: 力晶半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1、一種非易失性存儲器的制造方法，包括：

提供基底，所述基底中已形成有往第一方向延伸的多個隔離結構，所述隔離結構在所述基底表面突出，且所述隔離結構之間的所述基底上已形成有第一掩模層；

在所述基底上形成第二掩模層，所述第二掩模層覆蓋住所述隔離結構與所述第一掩模層；

圖案化所述第二掩模層與所述第一掩模層，形成往第二方向延伸的多個開口，所述開口暴露出部分所述基底表面與部分所述隔離結構的表面，所述第一方向與所述第二方向交錯；

在所述基底上形成隧穿介電層；

在所述開口中形成分別具有凹陷部的多個筒狀浮置柵極，所述筒狀浮置柵極分別位在相鄰的兩所述隔離結構與所述第一掩模層所包圍的位置上；

在所述基底上形成柵間介電層；以及

在所述開口中分別形成多個控制柵極，所述控制柵極并填滿所述筒狀浮置柵極的所述凹陷部。

2、如權利要求1所述的非易失性存儲器的制造方法，其中在所述開口中形成分別具有所述凹陷部的多個筒狀浮置柵極的步驟包括：

在所述基底上形成共形的第一導體層；

移除部分所述第一導體層，直到暴露出所述第二掩模層的表面；

在所述基底上形成犧牲材料層；

移除部分所述犧牲材料層，直到暴露出所述第二掩模層的表面；

移除部分所述第一導體層，直到暴露出所述隔離結構的表面；以及

移除所述犧牲材料層。

3、如權利要求1所述的非易失性存儲器的制造方法，其中在所述開口中形成分別具有所述凹陷部的所述筒狀浮置柵極之后，還包括移除部分所述隔離結構，使所述隔離結構的頂部低在所述筒狀浮置柵極的頂部。

4、如權利要求1所述的非易失性存儲器的制造方法，其中在所述第一掩模層與所述基底之間還包括形成有墊層。

5、如權利要求4所述的非易失性存儲器的制造方法，其中在圖案化所述第二掩模層與所述第一掩模層的步驟之后與形成所述隧穿介電層的步驟之前，還包括移除部分所述墊層。

6、如權利要求4所述的非易失性存儲器的制造方法，其中所述墊層的材料與所述隔離結構的材料相同。

7、如權利要求5所述的非易失性存儲器的制造方法，其中在移除所述墊層的同時，還包括移除部分所述隔離結構。

8、如權利要求1所述的非易失性存儲器的制造方法，其中所述柵間介電層的材料包括氧化硅/氮化硅/氧化硅。

9、如權利要求1所述的非易失性存儲器的制造方法，其中在所述基底上形成所述控制柵極的步驟之后，還包括移除所述第一掩模層與所述第二掩模層。

10、如權利要求1所述的非易失性存儲器的制造方法，其中在所述基底上形成所述控制柵極的步驟包括：

在所述基底上形成第二導體層；以及

以所述第二掩模層為終止層，移除部分所述第二導體層。

11、一種非易失性存儲器的制造方法，包括：

提供一基底，所述基底中已形成有往第一方向延伸的多個隔離結構，所述隔離結構在所述基底表面突出，且所述隔離結構之間的所述基底上已形成有第一掩模層；

在所述基底上形成第二掩模層；

圖案化所述第二掩模層與所述第一掩模層，形成往第二方向延伸的多個開口，所述開口暴露出部分所述基底表面與部分所述隔離結構的表面，所述第一方向與所述第二方向交錯；

在所述基底上形成隧穿介電層；

在所述基底上形成共形的第一導體層；

移除部分所述第一導體層，直到暴露出所述第二掩模層的表面；

在所述基底上形成犧牲材料層；

移除部分所述犧牲材料層，直到暴露出所述第一導體層的表面；

移除部分所述第一導體層，直到暴露出所述隔離結構的表面，以形成分別具有一凹陷部的多個筒狀導體塊；

移除所述犧牲材料層；

在所述基底上形成柵間介電層；

在所述基底上形成第二導體層，所述第二導體層填入所述筒狀導體塊的所述凹陷部并填滿所述開口；以及

在所述第二導體層兩側的所述基底中形成多個摻雜區。

12、如權利要求11所述的非易失性存儲器的制造方法，其中所述犧牲材料層的材料包括光致抗蝕劑材料。