[發明專利]保護測試焊墊的凸塊制程及晶圓結構

有效

• 申請號: 200610073723.X
• 申請日: 2006-04-05
• 公開（公告）號: CN101051617A
• 公開（公告）日: 2007-10-10
• 發明（設計）人: 翁肇甫;李德章
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/28;H01L23/482
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所
• 代理人: 翟羽

【技術領域】

本發明關于一種凸塊制程，尤其是關于一種可以保護測試焊墊的凸塊制程，以防止該測試焊墊在凸塊制程中被蝕刻掉。

【背景技術】

參考圖1a至圖1c所示，其顯示了現有技術中晶圓的結構示意圖。參考圖1a，該晶圓10具有一主動面11，該主動面11上具有一保護層12、若干個凸塊焊墊(bump?pad)13及若干個測試焊墊(test?pad)14。該保護層12暴露出該些凸塊焊墊13及該些測試焊墊14。該些凸塊焊墊13用以于后續制程中形成一凸塊下金屬層(Under?Bump?Metallurgy，UBM)15及若干個凸塊(bump)16于其上。該些測試焊墊14用以于凸塊制程后供作測試之用。

然而，在現有的凸塊制程中，由于該些測試焊墊14的上方未覆蓋保護層、凸塊下金屬層及凸塊，因此，在蝕刻步驟(etching?process)中，該些測試焊墊14會直接暴露在蝕刻液中而被一起蝕刻掉，如圖1b所示。當該些測試焊墊14被蝕刻掉后，原先位于該些測試焊墊14上方兩側的保護層12會變成兩懸空的突出部份A、B。之后，在接續的清洗該晶圓10或是切割該晶圓10的步驟中，該晶圓10的主動面11會承受一壓力。在此過程中，由于突出部份A、B的下方并無任何支撐，因此會崩壞且從原來的位置脫落，如圖1c所示。該些脫落的突出部份A、B會隨著晶圓10漂浮，進而黏附到凸塊16或是晶圓10的主動面11上，因而造成對晶圓10的污染。

因此，有必要提供一種創新且具進步性的凸塊制程，以解決上述現有技術中存在問題。

【發明內容】

本發明的主要目的在于提供一種凸塊制程，其通過在晶圓上的測試焊墊上形成一凸塊下金屬層或一光阻層，以實現在凸塊制程的蝕刻步驟中保護測試焊墊不被蝕刻的目的。

本發明的目的是通過如下方案實現的：

(a)提供一晶圓，該晶圓具有一主動面，該主動面上具有一保護層、若干個凸塊焊墊及若干個測試焊墊，該保護層暴露出該些凸塊焊墊及該些測試焊墊；

(b)在晶圓的主動面上形成一凸塊下金屬層，其覆蓋該保護層及該些凸塊焊墊及該些測試焊墊；

(c)在凸塊下金屬層上形成若干個第一光阻層，該些第一光阻層的位置對應于該些測試焊墊；

(d)在第一光阻層及凸塊下金屬層上形成一第二光阻層；

(e)在第二光阻層上形成若干個開口，該些開口的位置對應于該些凸塊焊墊；

(f)填入若干個焊塊至該些開口中；

(g)移除該第二光阻層；

(h)部份移除凸塊下金屬層，暴露出保護層；

(i)移除第一光阻層；以及

(j)進行一回焊制程，使該些焊塊形成球狀。

【附圖說明】

圖1a至圖1c顯示現有晶圓的結構示意圖；

圖2a至圖2i顯示本發明第一實施例中凸塊制程的示意圖；

圖3a至圖3j顯示本發明第二實施例中凸塊制程的示意圖；以及

圖4a至圖4i顯示本發明第三實施例中凸塊制程的示意圖。

【具體實施方式】

參考圖2a至圖2i，其顯示的是根據本發明第一實施例的凸塊制程中不同階段的晶圓結構示意圖。該凸塊制程包括以下步驟。首先，參考圖2a，提供一晶圓20，該晶圓20具有一主動面21，該主動面21上具有一保護層22、若干個凸塊焊墊23及若干個測試焊墊24。該保護層22暴露出該些凸塊焊墊23及該些測試焊墊24。該些凸塊焊墊23用以在后續制程中形成若干個凸塊于其上。該些測試焊墊24用以于凸塊制程后供作測試之用。

接著，參考圖2b，在晶圓20的主動面21上以濺鍍、蒸鍍或其它方式形成一凸塊下金屬層(Under?Bump?Metallurgy，UBM)25，覆蓋該保護層22及該些凸塊焊墊23及該些測試焊墊24。在本實施例中，該凸塊下金屬層25包括一黏著層(adhesion?layer)251、一障壁層(barrier?layer)252及一結合層(wettablelayer)253。其中如果該測試焊墊24的材質為鋁，則該黏著層251的材質為鋁，該障壁層252的材質為鎳釩合金，該結合層253的材質為銅。如果該測試焊墊24的材質為銅，則該黏著層251的材質為鈦，該障壁層252的材質為鎳釩合金，該結合層253的材質為銅。