[發明專利]保護測試焊墊的凸塊制程及晶圓結構

有效

• 申請號: 200610073723.X
• 申請日: 2006-04-05
• 公開（公告）號: CN101051617A
• 公開（公告）日: 2007-10-10
• 發明（設計）人: 翁肇甫;李德章
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/28;H01L23/482
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所
• 代理人: 翟羽

1.一種保護測試焊墊的凸塊制程，包括步驟(a)提供一晶圓，該晶圓具有一主動面，該主動面上具有一保護層、若干個凸塊焊墊及若干個測試焊墊，該保護層暴露出該些凸塊焊墊及該些測試焊墊；其特征在于：該制程還包括如下步驟：

(b)在該晶圓的主動面上形成一凸塊下金屬層(Under?Bump?Metallurgy，UBM)，覆蓋該保護層及該些凸塊焊墊及該些測試焊墊；

(c)于該凸塊下金屬層上形成若干個第一光阻層，該些第一光阻層的位置對應于該些測試焊墊；

(d)在該第一光阻層及該凸塊下金屬層上形成一第二光阻層；

(e)在該第二光阻層上形成若干個開口，該些開口的位置對應于該些凸塊焊墊；

(f)填入若干個焊塊至該些開口中；

(g)移除該第二光阻層；

(h)將未被該第一光阻層及該些焊塊所覆蓋的該凸塊下金屬層移除，暴露出該保護層；

(i)移除該些第一光阻層；以及

(j)進行一回焊制程，使該些焊塊形成球狀。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：位于該些測試焊墊上的該凸塊下金屬層包括覆蓋該保護層及該些測試焊墊的一黏著層(adhesion?layer)、覆蓋該黏著層的一障壁層(barrier?layer)及覆蓋該障壁層的一結合層(wettablelayer)。

3.一種保護測試焊墊的凸塊制程，包括步驟(a)提供一晶圓，該晶圓具有一主動面，該主動面上具有一保護層、若干個凸塊焊墊及若干個測試焊墊，該保護層暴露出該些凸塊焊墊及該些測試焊墊；其特征在于：該制程還包括如下步驟：

(b)形成一凸塊下金屬層于該晶圓之主動面上，覆蓋該保護層及該些凸塊焊墊及該些測試焊墊，該凸塊下金屬層包括覆蓋該保護層及該些凸塊焊墊及該些測試焊墊的一黏著層、覆蓋該黏著層的一障壁層及覆蓋該障壁層的一結合層；

(c)形成若干個第一光阻層于該凸塊下金屬層上，該些第一光阻層之位置系相對于該些凸塊焊墊及該些測試焊墊；

(d)將未被該些第一光阻層所覆蓋住的該凸塊下金屬層的障壁層及結合層移除，以暴露出該黏著層；

(e)移除該些第一光阻層；

(f)于該結合層及該黏著層上形成一第二光阻層；

(g)于該第二光阻層上形成若干個開口，該些開口的位置對應于該些凸塊焊墊；

(h)填入若干個焊塊至該些開口中；

(i)移除該第二光阻層；

(j)將未被該結合層所覆蓋的該黏著層移除，暴露出該保護層；以及

(k)進行一回焊制程，使該些焊塊形成球狀。

4.一種保護測試焊墊的凸塊制程，包括步驟(a)提供一晶圓，該晶圓具有一主動面，該主動面上具有一保護層、若干個凸塊焊墊及若干個測試焊墊，該保護層暴露出該些凸塊焊墊及該些測試焊墊；其特征在于：該制程還包括如下步驟：

(b)在該晶圓的主動面上形成一凸塊下金屬層，覆蓋該保護層及該些凸塊焊墊及該些測試焊墊；

(c)在該凸塊下金屬層上形成若干個第一光阻層，該些第一光阻層的位置對應于該些凸塊焊墊及該些測試焊墊；

(d)將未被該些第一光阻層覆蓋的該凸塊下金屬層移除，暴露出該保護層；

(e)移除該些第一光阻層；

(f)于該凸塊下金屬層及該保護層上形成一網格層，該網格層上具有若干個開口，該些開口的位置對應于該些凸塊焊墊；

(h)形成金屬至該些開口中；

(i)進行一回焊制程，使該些金屬形成球狀；以及

(j)移除該網格層。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于：該網格層為一金屬鋼板。

6.如權利要求8所述的方法，其特征在于：所述步驟(h)包括印刷金屬至該些開口中。

7.一種晶圓結構，包括一晶圓，該晶圓具有一主動面，該主動面上具有一保護層、若干個凸塊焊墊及若干個測試焊墊，該保護層未覆蓋該些凸塊焊墊及該些測試焊墊；其特征在于：該晶圓結構還包括位于該些凸塊焊墊上的若干個第一凸塊下金屬層；位于該些測試焊墊上的若干個第二凸塊下金屬層，該第二凸塊下金屬層包括覆蓋該保護層及該些測試焊墊的一黏著層、覆蓋該黏著層的一障壁層及覆蓋該障壁層的一結合層；以及位于該些第一凸塊下金屬層上的若干個凸塊。