[發(fā)明專利]面板蝕刻制程的方法及其裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610072660.6 | 申請日: | 2006-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN101051603A | 公開(公告)日: | 2007-10-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳春夏 | 申請(專利權)人: | 悅城科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/67;G02F1/13;C03C15/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 周長興 |
| 地址: | 臺灣省*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 面板 蝕刻 方法 及其 裝置 | ||
發(fā)明領域
本發(fā)明是有關一種面板蝕刻制程的方法及其裝置,尤指一種可在蝕刻制程中改善蝕刻均勻度以及增進蝕刻效率的方法及裝置。
背景技術
按,濕式蝕刻技術是利用薄膜與特定溶液間所進行的化學反應來去除基底上的薄膜,以便在基底上形成所需的圖案或是令該基底完成薄型化工程,此技術的優(yōu)點是制程單純、設備簡單、成本低廉以及加工效率快。然如所知者,蝕刻是利用化學反應來進行薄膜的去除或薄型化工程,而化學反應本身并不具方向性,所以這種等向性的蝕刻特征導致其較難以精確操控在局部位置的蝕刻結果;另外,此種蝕刻方式由于受到蝕刻液本身黏稠度的影響,很難使整個表面均勻地蝕刻,導致有部分區(qū)域造成蝕刻不完全,而在其它區(qū)域則有底切(undercutting)的現象,嚴重影響產品良率;然而隨著產品組件的尺寸越作越小,加工精度越來越高,蝕刻加工的均勻度也就更顯重要了。
此外,近年來在消費性電子產品益趨于輕薄短小的趨勢下,使這類產品的基本組件~~顯示面板亦被要求必須符合輕薄的要件,而一般顯示面板的輕薄化主要是藉由對其玻璃基板施行薄型化制程來達成目的;在眾多已知的薄型化制程技術中最常被采用的就是蝕刻的方式,這主要是考慮到蝕刻的薄型化制程通常具有優(yōu)良的加工效率,且制程中不易產生應力造成薄玻璃板的損害,然而如前段所述,蝕刻加工過程的缺失也會衍生許多不良的結果,例如:蝕刻不均勻導致玻璃板體各部厚薄不一(尤其應用于較大面積的玻璃基材時),使玻璃板體的機械強度銳減而容易遭受損害,而蝕刻不均勻亦會產生表面粗糙的情況,影響到液晶顯示組件的影像品質。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種面板蝕刻制程的方法及其裝置,用以在面板上形成所需圖案及/或用來進行面板的薄型化制程,其由控制下使被蝕刻的面板沉浸在蝕刻液中,并在蝕刻過程中連續(xù)地使該面板順沿其板面的平行方向作上、下及(或)左、右方位的往復式位移,以便使蝕刻液在被蝕刻表面上呈連續(xù)相對流動狀態(tài),并讓蝕刻出的殘屑可迅速從該表面分離,據此獲致均勻蝕刻效果并增進蝕刻的效率。
本發(fā)明還提供一種可造就高精度蝕刻成果的面板蝕刻制程的方法及其裝置,其利用在蝕刻過程中,使被蝕刻面與蝕刻液之間連續(xù)保持相對運動狀態(tài),以確保被蝕刻面各部位的蝕刻加工度均勻,從而產出具有精確圖形與尺寸以及優(yōu)良表面粗造度與平坦度的面板。
為實現上述目的,本發(fā)明提供的面板蝕刻制程的方法,可用以在面板上形成所需圖案及/或用來進行面板的薄型化制程,其利用蝕刻溶劑與面板之間進行的化學反應來去除面板上所欲去除的材料,進行蝕刻制程的步驟包含:
將欲蝕刻加工的面板安裝在一挾持裝置上固定;
提供一盛裝有蝕刻液的工作槽;
令該挾持裝置使該面板的板體呈垂直矗立態(tài)樣沉浸入該工作槽的蝕刻液中,進行蝕刻;以及
在蝕刻進程中,使該面板在蝕刻液中連續(xù)地以順沿該板面的平行方向為上、下及/或左、右方位的往復式位移作動。
本發(fā)明提供的面板蝕刻制程的裝置,可用以在面板上形成所需圖案及/或用來進行面板的薄型化制程,其利用蝕刻溶劑與面板之間進行的化學反應來去除面板上的材料,該蝕刻制程的裝置至少包含:
一工作槽,槽內盛裝有蝕刻液,并令該槽中的蝕刻液在蝕刻制程中持續(xù)保持在一特定的液面高度,且該高度至少足供該欲蝕刻面板可完全沉浸入該蝕刻液內;
一挾持裝置,其挾持單元可夾持固定一片或二片以上彼此平行設置的面板,且其可升降運作,使該挾持裝置下降位移以浸入該槽的蝕刻液中,或上升位移而離開該槽的蝕刻液中;以及
一往復式運動機構,樞接于該夾持裝置上,可驅使該夾持裝置并同該面板在該槽的蝕刻液中連續(xù)地以順沿該板面的平行方向為上、下及/或左、右方位的往復式位移作動;利用該挾持裝置將面板挾持固定并以略呈垂直矗立態(tài)樣浸沒入該槽的蝕刻液中進行蝕刻,再由該往復式運動機構使該面板在蝕刻液中以順沿其板面的平行方向作上、下和/或左、右方位的往復式位移,據此促進蝕刻均勻度,并提升蝕刻加工的效率。
所述的面板蝕刻制程的裝置,其中,該挾持裝置還可包含有復數組呈前后平行并列的挾持單,且令各個挾持單元間彼此保持有間隙距離。
所述的面板蝕刻制程的裝置,其中,該挾持單元為一矩形框體,在該框體的一框緣上設有至少一組固定夾頭,并在另一對應的框緣上設有至少一組活動夾頭。
所述的面板蝕刻制程的裝置,其中,于前述固定夾頭與活動夾頭的端部均設具一V形凹槽。
所述的面板蝕刻制程的裝置,其中,往復式運動機構為曲柄-連桿機構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





