[發明專利]形成低溫生長緩沖層的方法、發光元件及其制造方法和發光器件有效
| 申請號： | 200610067005.1 | 申請日： | 2006-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN1841800A | 公開（公告）日： | 2006-10-04 |
| 發明（設計）人： | 牛田泰久;筱田大輔;山崎大輔;平田宏治;池本由平;柴田直樹;青木和夫;恩卡納西翁·安東尼亞·加西亞·比略拉;島村清史 | 申請（專利權）人： | 豐田合成株式會社;株式會社光波 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 顧晉偉;劉繼富 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 低溫 生長 緩沖 方法 發光 元件 及其 制造 器件 | ||
【說明書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于豐田合成株式會社;株式會社光波，未經豐田合成株式會社;株式會社光波許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200610067005.1/2.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：半導體器件及其制造方法
- 下一篇：一種合成NaY分子篩的方法
