[發(fā)明專利]主動矩陣式有機電激發(fā)光顯示器及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610062831.7 | 申請日: | 2006-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN101154677A | 公開(公告)日: | 2008-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃榮龍;彭家鵬 | 申請(專利權(quán))人: | 群康科技(深圳)有限公司;群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/84 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 主動 矩陣 機電 激發(fā) 顯示器 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種有機電激發(fā)光顯示器及其制造方法,特別是一種主動矩陣式有機電激發(fā)光顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)
有機電激發(fā)光顯示器又稱有機發(fā)光二極管(Organic?LightEmitting?Diodes,OLED),其是一種高效的光電子轉(zhuǎn)換裝置,因具有無視角限制、制造成本低及高輝度等優(yōu)點而越來越受到業(yè)界觀注。
有機電激發(fā)光顯示器依據(jù)驅(qū)動方式不同可分為主動矩陣(Active?Matrix)式有機電激發(fā)光顯示器與被動矩陣(PassiveMatrix)式有機電激發(fā)光顯示器。通常,主動矩陣式有機電激發(fā)光顯示器為底部發(fā)光型。
請參閱圖1,是一種現(xiàn)有技術(shù)主動矩陣式有機電激發(fā)光顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。該主動矩陣式有機電激發(fā)光顯示器10包括一透明絕緣基板100、一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)120及一有機發(fā)光結(jié)構(gòu)140。該透明絕緣基板100定義連續(xù)分布的一薄膜晶體管區(qū)101與一有機發(fā)光區(qū)102。該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)120與該有機發(fā)光結(jié)構(gòu)140分別設(shè)置在該透明絕緣基板100的薄膜晶體管區(qū)101及有機發(fā)光區(qū)102上。
該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)120包括一摻雜半導(dǎo)體層121、一第一絕緣層122、一柵極123、一第二絕緣層124、三連接孔151、153、155、一源極125、一漏極126、一鈍化層127及一透明電極層128。該摻雜半導(dǎo)體層121為一條狀結(jié)構(gòu),其設(shè)置在該透明絕緣基板100的薄膜晶體管區(qū)101上。該第一絕緣層122覆蓋具有該摻雜半導(dǎo)體層121的透明絕緣基板100。該柵極123形成于該摻雜半導(dǎo)體層121對應(yīng)的第一絕緣層122表面。該第二絕緣層124覆蓋該柵極123與該第一絕緣層122表面。該第一連接孔151與該第二連接孔153貫穿該第一絕緣層122與該第二絕緣層124,并在該二連接孔151、153處曝露出部分摻雜半導(dǎo)體層121。該源極125與漏極126填充二連接孔151、153,從而實現(xiàn)與該摻雜半導(dǎo)體層121的電連接,并與該第二絕緣層124部分交疊。該鈍化層127覆蓋該源極125、該漏極126及該第二絕緣層124,其上表面為一平坦平面,具有一貫穿該鈍化層127的第三連接孔155,該第三連接孔155曝露出該漏極126。該透明電極層128覆蓋該鈍化層127,并經(jīng)由該第三連接孔155與該漏極126電連接。該透明電極層128同時也作為該有機電激發(fā)光顯示器10的陽極。
該有機發(fā)光結(jié)構(gòu)140包括一陰極隔離體(Inter-insulator)141及自下而上依次層疊設(shè)置在該有機發(fā)光區(qū)102的一電洞注入層(Hole?Injection?Layer,HIL)142、一電洞傳輸層(Hole?TransferLayer,HTL)143、一有機發(fā)光層(Emission?Layer,EL)144、一電子注入層(Electron?Transfer?Layer,ETL)145及一陰極反射層(Cathode?Reflective?Layer)146。該陰極隔離體141近似呈一“T”形,其豎直部分填充沉積有該透明電極層128的第三連接孔155,水平部分為部分覆蓋該透明電極層128的梯形結(jié)構(gòu),其厚度大致等于該透明電極層128與該陰極反射層146間的距離。
然而,由于上述主動矩陣式有機電激發(fā)光顯示器10的透明電極層128需經(jīng)由一第三連接孔155與該漏極126相電連接,該第三連接孔155需通過一道工序制成。同時,該有機電激發(fā)光顯示器10的鈍化層127與陰極隔離體141為二獨立結(jié)構(gòu),該鈍化層127與該陰極隔離體141需分別通過兩道工序制成。因此,該主動矩陣式有機電激發(fā)光顯示器10結(jié)構(gòu)較復(fù)雜,制造工序也較繁瑣。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中主動矩陣式有機電激發(fā)光顯示器結(jié)構(gòu)復(fù)雜且制造過程繁瑣的問題,有必要提供一種結(jié)構(gòu)簡單且制造工序簡單的主動矩陣式有機電激發(fā)光顯示器。
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中主動矩陣式有機電激發(fā)光顯示器結(jié)構(gòu)復(fù)雜且制造過程繁瑣的問題,也有必要提供一種結(jié)構(gòu)簡單且制造工序簡單的主動矩陣式有機電激發(fā)光顯示器的制造方法。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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