[發(fā)明專利]主動矩陣式有機(jī)電激發(fā)光顯示器及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610062831.7
• 申請日: 2006-09-27
• 公開（公告）號: CN101154677A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃榮龍;彭家鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 群康科技（深圳）有限公司;群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/84
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種主動矩陣式有機(jī)電激發(fā)光顯示器，其包括一透明絕緣基板，一薄膜電晶體結(jié)構(gòu)及一有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)，該透明絕緣層上定義連續(xù)分布的一薄膜晶體管區(qū)與一有機(jī)發(fā)光區(qū)，該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括一形成在該薄膜晶體管區(qū)的摻雜半導(dǎo)體層、一第一絕緣層、一柵極、一第二絕緣層、二連接孔、一源極與一漏極、一同時作為該有機(jī)電激發(fā)光顯示器陽極的透明電極層及一鈍化層，該有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置在陽極表面的一電洞注入層、一電洞傳輸層、一有機(jī)發(fā)光層、一電子注入層及一覆蓋該電子注入層及鈍化層的陰極反射層，其特征在于：該透明電極層覆蓋該漏極與該有機(jī)發(fā)光區(qū)對應(yīng)的第二絕緣層表面，進(jìn)而與該漏極電連接，該鈍化層覆蓋該薄膜晶體管區(qū)對應(yīng)的源極、漏極、第二絕緣層及透明電極層，該鈍化層同時作為該有機(jī)電激發(fā)光顯示器的陰極隔離體。

2.如權(quán)利要求1所述的主動矩陣式有機(jī)電激發(fā)光顯示器，其特征在于：該第一絕緣層覆蓋該摻雜半導(dǎo)體層及該透明絕緣基板表面，該柵極位于該摻雜半導(dǎo)體層對應(yīng)的第一絕緣層表面，該第二絕緣層覆蓋該柵極及該第一絕緣層，該連接孔貫穿該第一絕緣層與該第二絕緣層，該源極與該漏極分別填充該連接孔進(jìn)而與該摻雜半導(dǎo)體層電連接，并部分覆蓋該第二絕緣層。

3.如權(quán)利要求1所述的主動矩陣式有機(jī)電激發(fā)光顯示器，其特征在于：該陰極隔離體的厚度基本等于該電洞注入層、該電洞傳輸層、該有機(jī)發(fā)光層及該電子注入層的厚度之和。

4.如權(quán)利要求1所述的主動矩陣式有機(jī)電激發(fā)光顯示器，其特征在于：該鈍化層的材料為具有高感光特性的有機(jī)感光材料。

5.一種主動矩陣式有機(jī)電激發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于：其包括以下制造步驟：步驟一，提供一透明絕緣基板，其上定義連續(xù)分布的一薄膜晶體管區(qū)與一有機(jī)發(fā)光區(qū)；步驟二，依次形成一摻雜半導(dǎo)體層、一第一絕緣層、一柵極及一第二絕緣層在該透明絕緣基板表面；步驟三，形成二連接孔貫穿該第二絕緣層及該第一絕緣層，并在該連接孔處曝露出該摻雜半導(dǎo)體層；步驟四，形成一源極與一漏極于該第二絕緣層表面，并經(jīng)由該二連接孔與該摻雜半導(dǎo)體層電連接；步驟五，涂布一透明電極材料層在具有該源極及漏極的透明絕緣基板表面，利用一道微型蝕刻制造方法處理該透明電極材料層，從而形成覆蓋該漏極及該有機(jī)發(fā)光區(qū)的透明電極層；步驟六，涂布一鈍化材料層在具有該透明電極層的透明絕緣基板表面，利用一道微型蝕刻制造方法處理該鈍化材料層，從而形成覆蓋該源極、漏極及第二絕緣層的鈍化層，該鈍化層同時作為該有機(jī)電激發(fā)光顯示器的陰極隔離體，從而構(gòu)成一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，且該有機(jī)發(fā)光區(qū)對應(yīng)的透明電極層作為該有機(jī)電激發(fā)光顯示器的陽極；步驟七，依次形成一電洞注入層、一電洞傳輸層、一有機(jī)發(fā)光層及一電子注入層在該陽極表面，并在該電子注入層及該鈍化層表面形成一陰極反射層。

6.如權(quán)利要求5所述的主動矩陣式有機(jī)電激發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于：該摻雜半導(dǎo)體層的制造方法步驟包括：沉積一多晶硅材料層在該透明絕緣基板表面，圖案化該多晶硅材料層使該其中間部分形成一活性層，對該活性層進(jìn)行摻雜，從而在對應(yīng)該薄膜晶體管區(qū)的透明絕緣基板表面形成該摻雜半導(dǎo)體層。

7.如權(quán)利要求5所述的主動矩陣式有機(jī)電激發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于：該源極與該漏極采用濕蝕刻方法制成，蝕刻液為強(qiáng)酸溶液。

8.如權(quán)利要求5所述的主動矩陣式有機(jī)電激發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于：蝕刻該透明電極材料層的蝕刻方法為濕蝕刻法，蝕刻液為弱酸溶液。

9.如權(quán)利要求5所述的主動矩陣式有機(jī)電激發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于：該鈍化材料層的材料為具有高感光特性的有機(jī)感光材料。

10.如權(quán)利要求5所述的主動矩陣式有機(jī)電激發(fā)光顯示器的制造方法，其特征在于：該源極及漏極材料為具有良好導(dǎo)電性能及低功函數(shù)的金屬材料，該第一絕緣層與該第二絕緣層的材料相同，該有機(jī)發(fā)光層的材料為高分子電致發(fā)光化合物或小分子化合物，該電洞注入層的材料為銅酞菁，該電洞傳輸層的材料為聚苯胺或三芳胺衍生物，該電子注入層的材料為具有低功函數(shù)的堿金屬或堿土金屬，該電子注入層的材料為氟化鋰、鈣或鎂。