[發明專利]星型雙回轉磁控濺射導電玻璃鍍膜生產線及生產工藝

有效

• 申請號: 200610062311.6
• 申請日: 2006-08-25
• 公開（公告）號: CN101130452A
• 公開（公告）日: 2008-02-27
• 發明（設計）人: 許生;徐升東;莊炳河;曹志剛;高文波
• 申請（專利權）人: 深圳豪威真空光電子股份有限公司
• 主分類號: C03C17/23
• 分類號: C03C17/23;C23C14/35
• 代理公司: 深圳創友專利商標代理有限公司
• 代理人: 陳俊斌

1.星型雙回轉磁控濺射ITO導電玻璃鍍膜生產線，其特征是：包括A面進出片室、B面進出片室、A面旋轉真空室、B面旋轉真空室、A面第一濺射工作室、B面第一濺射工作室、中間連接室、A面旋轉回架裝置、B面旋轉回架裝置；所述A面進出片室、A面第一濺射工作室分別與所述A面旋轉真空室相銜接；所述B面進出片室、B面第一濺射工作室分別與所述B面旋轉真空室相銜接；所述中間連接室二端分別與所述A面旋轉真空室、B面旋轉真空室相銜接。

2.如權利要求1所述的生產線，其特征是：還包括A面第二濺射工作室，與所述A面旋轉真空室相銜接。

3.如權利要求1所述的生產線，其特征是：還包括B面第二濺射工作室，與所述B面旋轉真空室相銜接。

4.如權利要求1-3中任一項所述的生產線，其特征是：所述中間連接室包括第一通道、第二通道，所述第一通道包括相銜接的預熱室、鍍膜室、過渡室，所述第二通道包括相銜接的預熱室、鍍膜室、過渡室；所述二通道并行反向、分別連接于所述A面旋轉真空室、B面旋轉真空室之間。

5.如權利要求1-3中任一項所述的生產線，其特征是：還包括A面旋轉回架裝置、B面旋轉回架裝置，所述A面旋轉回架裝置與所述A面進出片室相銜接，所述B面旋轉回架裝置與所述B面進出片室相銜接。

6.星型雙回轉磁控濺射ITO導電玻璃鍍膜生產工藝，其特征是，包括二個相互獨立、同時運行、方向相反的流程：A基片載體依次經A面回架旋轉裝置、A面進出片室、A面旋轉真空室、預熱室、A面旋轉真空室、中間連接室、B面旋轉真空室、B面濺射工作室、B面旋轉真空室、B面進出片室、B面回架旋轉裝置，完成ITO鍍膜；B基片載體依次經B面回架旋轉裝置、B面進出片室、B面旋轉真空室、預熱室、B面旋轉真空室、中間連接室、A面旋轉真空室、A面濺射工作室、A面旋轉真空室、A面進出片室、A面回架旋轉裝置，完成ITO鍍膜。

7.如權利要求6所述的生產工藝，其特征是：所述A面濺射工作室包括A面第一濺射工作室、A面第二濺射工作室，可實現對基片載體的多次濺射ITO鍍膜。

8.如權利要求6所述的生產工藝，其特征是：所述B面濺射工作室包括B面第一濺射工作室、B面第二濺射工作室，可實現對基片載體的多次濺射ITO鍍膜。

9.如權利要求6-8中任一項所述的生產工藝，其特征是：所述中間連接室設有第一通道、第二通道，該二通道設置有鍍膜室，實現對所述基片的鍍膜處理。

10.如權利要求9所述的生產工藝，其特征是：所述鍍膜室實現二氧化硅鍍膜或銀鍍膜。