[發(fā)明專利]去除類金剛石碳膜的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610060393.0
• 申請(qǐng)日: 2006-04-19
• 公開（公告）號(hào): CN101058894A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蕭博元
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): C25F1/04
• 分類號(hào): C25F1/04;C25F5/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及一種去除工件表面鍍膜的方法，尤其涉及一種去除一種類金剛石碳膜的方法。

【背景技術(shù)】

類金剛石碳(Diamond-Like?Carbon，DLC)是碳的一種形態(tài)，其結(jié)構(gòu)介于石墨與金剛石之間，碳原子之間以SP¹、SP²、SP³各種方式成鍵，其具有類似于金剛石的高硬度、低摩擦系數(shù)、高化學(xué)穩(wěn)定性、耐磨損等優(yōu)良特性，因此廣泛應(yīng)用作刀具、模具、軸承的表面鍍層以提升其性能。

根據(jù)是否含氫可將DLC分為不含氫的類金剛石碳(Amorphous?Carbon，a-C)及含氫類金剛石碳(Amorphous?Hydrogenated?Carbon，a-C:H)。a-C是可導(dǎo)電的，而a-C:H是不導(dǎo)電的。相對(duì)于a-C，a-C:H具有更高的耐磨性能，因此通常形成同時(shí)包括a-C膜及a-C:H膜的復(fù)合DLC膜。

DLC膜一般采用濺鍍工藝制備，但由此方法制得的DLC膜具有極高的內(nèi)應(yīng)力，因此其在工件表面易于發(fā)生碎裂而脫落，附著力不足。為了提高DLC膜的附著力，一般采用多層鍍膜的方式，多層膜的結(jié)構(gòu)一般自下而上依次為金屬/金屬氮化物/金屬碳化物/DLC膜。

多層膜的設(shè)計(jì)可提升DLC膜的附著力，但也使得鍍膜工藝變得復(fù)雜，鍍膜易于出現(xiàn)不良品。另外經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間使用后DLC膜仍無(wú)可避免的產(chǎn)生磨損。上述情況下有必要對(duì)工件進(jìn)行重新鍍膜，但重新鍍膜前需要解決的問題是如何輕易的將已經(jīng)磨損的DLC膜去除掉。

研磨的方法精確度太低而易于損壞其他膜，使用粒子束轟擊的方法可精確的去除表面的膜，但是成本太高。

【發(fā)明內(nèi)容】

有鑒于此，有必要提供一種成本低廉、可輕易去除工件表面DLC膜的方法。

一種去除工件表面類金剛石碳膜的方法，所述的類金剛石碳膜包括一不含氫的類金剛石碳膜及形成在不含氫的為金剛石碳膜上的含氫類金剛石碳膜，所述方法包括以下步驟：以氧等離子體轟擊所述工件表面的含氫類金剛石碳膜使其多個(gè)局部脫落；以所述工件為陽(yáng)極在酸性溶液中進(jìn)行電解直至所述類金剛石碳膜脫落。

所述的去除工件表面類金剛石碳膜的方法操作簡(jiǎn)單，成本低廉，可輕易將工件表面的類金剛石碳膜去除。

【附圖說(shuō)明】

圖1是本實(shí)施例中待去除DLC膜的工件結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實(shí)施例去除DLC膜的方法的流程圖。

圖3是本實(shí)施例的去除DLC膜的方法使用的真空反應(yīng)器的示意圖。

【具體實(shí)施方式】

待處理的工件10表面為DLC膜，所述DLC膜包括一不含氫的類金剛石碳膜及一層形成在其上的含氫類金剛石碳膜。參閱圖1，是一種所述工件的示意圖，工件10包括依次形成的底層膜11及DLC膜12，DLC膜12包括類金剛石碳膜121及含氫類金剛石碳膜122，底層膜11可包括鉻膜111、氮化鉻膜112及碳化鉻膜113。當(dāng)然具有其他膜結(jié)構(gòu)的工件，只要其表面為不含氫的類金剛石碳膜及形成在其上的含氫類金剛石碳膜均可適用于本實(shí)施方式。

參閱圖2，去除DLC膜的方法包括以下步驟：

步驟1，將工件10置于一真空反應(yīng)器20中。

步驟2，以氧等離子體轟擊工件10表面的含氫類金剛石碳膜122使其局部脫落。

步驟3，以工件10為陽(yáng)極在酸性溶液中進(jìn)行電解直至不含氫的類金剛石碳膜121及含氫類金剛石碳膜122去除。

參閱圖3，將工件10置于真空反應(yīng)器20中，真空反應(yīng)器20上包括氧氣入口22，真空反應(yīng)器內(nèi)靠近氧氣入口22設(shè)置有放電電極211、212，放電電極211、212分別與電源兩極相連，其用于進(jìn)行氧氣的放電以產(chǎn)生氧等離子體。氣體的放電方式包括直流放電、交流放電、輝光放電等多種形式，但放電形式并不影響本實(shí)施例的方法的實(shí)施。氧氣放電時(shí)會(huì)發(fā)生電離，產(chǎn)生氧正離子、負(fù)離子、氧原子、電子等粒子的混合物即氧等離子體。

真空反應(yīng)器20內(nèi)還設(shè)置有基電極23，基電極23靠近放電電極211、212設(shè)置。在工件10與基電極23之間施加偏置電壓V，使工件10上的電壓較基電極23上低，使氧正離子加速而轟擊工件10表面的含氫類金剛石碳膜122。當(dāng)然由于氧正離子的撞擊，氧原子亦會(huì)加速向工件10轟擊。