[發明專利]薄膜晶體管基板及降低金屬導線之間干擾的方法有效
| 申請號: | 200610060302.3 | 申請日: | 2006-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN101055878A | 公開(公告)日: | 2007-10-17 |
| 發明(設計)人: | 顏碩廷 | 申請(專利權)人: | 群康科技(深圳)有限公司;群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 降低 金屬 導線 之間 干擾 方法 | ||
【技術領域】
本發明涉及一種薄膜晶體管基板,還涉及一種降低金屬導線之間干擾的方法。
【背景技術】
目前,液晶顯示器逐漸取代了用于計算器的傳統陰極射線管(Cathode?Ray?Tube,CRT)顯示器,而且,由于液晶顯示器具輕、薄、小等特點,使其非常適合應用于桌上型計算機、個人數字助理(Personal?Digital?Assistant,PDA)、便攜式電話、電視及多種辦公自動化與視聽設備。
液晶顯示器通常包括一彩色濾光片基板、一薄膜晶體管基板及一夾于該兩基板間的液晶層。其中,該薄膜晶體管基板上設置有多條柵極線及與該多條柵極線絕緣相交的多條數據線。
請參閱圖1,是一種現有技術揭露的薄膜晶體管基板的結構示意圖。該薄膜晶體管基板100包括多條柵極線101、多條數據線102及多條薄膜晶體管103。該柵極線101與該數據線102絕緣相交,界定出多個像素單元104。該薄膜晶體管103設置于該柵極線101與該數據線102相交處,且該薄膜晶體管103分別與該柵極線101及該數據線102電連接。
請參閱圖2,是沿圖1所示線II-II的剖視圖。該柵極線101設置于絕緣基底110上,一絕緣層120設置于該柵極線101上,多條數據線102設置于該絕緣層120上,該數據線102與該柵極線101存在重疊區域。當該柵極線101加載掃描信號選中一行像素單元104時,該數據線102同時將像素信號傳送至各像素單元。
因為該數據線102與該柵極線101存在重疊區域,該柵極線101的信號會對該數據線102的信號產生干擾,導致該數據線102的信號失真,影響顯示效果。
【發明內容】
為解決上述柵極線對數據線干擾的問題,提供一種可降低柵極線對數據線干擾的薄膜晶體管基板實為必要。
還提供一種降低金屬導線之間干擾的方法。
一種薄膜晶體管基板,其包括一絕緣基底、多條柵極線、多條抗干擾導線及多條數據線,該抗干擾導線絕緣設置于該柵極線與該數據線之間,且其相對于該柵極線設置,該抗干擾導線的電壓信號與該柵極線的電壓信號反相,該抗干擾線設置于該柵極線的正上方。
一種降低金屬導線之間干擾的方法,其步驟包括:提供相鄰的一第一金屬線及一第二金屬線;設置一抗干擾導線于該第一金屬線與第二金屬線之間,且該抗干擾導線的電壓信號與該第一金屬線的電壓信號反相,該抗干擾導線與該柵極線的距離小于該抗干擾導線與該數據線的距離。
相較于現有技術,上述薄膜晶體管基板在該柵極線與該數據線之間設置有抗干擾導線,該抗干擾導線的電壓信號與該柵極線的電壓信號反相,可使得該柵極線與該抗干擾導線在該數據線處的電場較弱,從而降低該柵極線對該數據線的干擾。同理,上述降低金屬線間電壓信號干擾的方法可有效降低金屬線間的干擾。
【附圖說明】
圖1是現有技術的薄膜晶體管基板的示意圖。
圖2是沿圖1所示線II-II的剖面放大示意圖。
圖3是本發明薄膜晶體管基板的示意圖。
圖4是沿圖3剖面線IV-IV的剖面放大示意圖。
圖5是沿圖3剖面線V-V的剖面放大示意圖。
圖6是該抗干擾導線降低該柵極線對該數據線干擾的原理示意圖。
圖7是本發明降低金屬導線間干擾方法的金屬導線排布示意圖。
【具體實施方式】
請一并參閱圖3、圖4及圖5,圖3是本發明一實施方式所揭露的薄膜晶體管基板的平面示意圖,圖4是沿圖3所示線IV-IV的剖面放大示意圖,圖5是沿圖3所示線V-V的剖面放大示意圖。該薄膜晶體管基板200包括一玻璃基底210、多條柵極線201,一第一絕緣層220、多條抗干擾導線230、一第二絕緣層240及多條數據線202。該多條柵極線201與該多條數據線202垂直絕緣相交,界定多個像素單元(未標示)。該柵極線201設置于該玻璃基底210上,該第一絕緣層220設置于該柵極線201及該玻璃基底210上,該抗干擾導線230設置于該第一絕緣層220上,該第二絕緣層240設置于該抗干擾導線230及該第一絕緣層220上,該數據線202設置于該第二絕緣層240上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





