[發明專利]薄膜晶體管基板及降低金屬導線之間干擾的方法有效
| 申請號: | 200610060302.3 | 申請日: | 2006-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN101055878A | 公開(公告)日: | 2007-10-17 |
| 發明(設計)人: | 顏碩廷 | 申請(專利權)人: | 群康科技(深圳)有限公司;群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 降低 金屬 導線 之間 干擾 方法 | ||
1.一種薄膜晶體管基板,其包括一絕緣基底、多條柵極線及多條與該柵極線相交的數據線,其特征在于:其進一步包括一抗干擾導線,該抗干擾導線絕緣設置于該柵極線與該數據線之間,且其相對于該柵極線設置,該抗干擾導線的電壓信號與該柵極線的電壓信號反相,該抗干擾線設置于該柵極線的正上方。
2.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板,其特征在于:該抗干擾導線與該柵極線的距離小于該抗干擾導線與該數據線的距離。
3.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板,其特征在于:該抗干擾導線的電壓信號的絕對值小于該柵極線的電壓信號的絕對值。
4.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板,其特征在于:該抗干擾導線的寬度小于該柵極線的寬度。
5.一種降低金屬導線之間干擾的方法,其步驟包括:
提供相鄰的一第一金屬線及一第二金屬線;
設置一抗干擾導線于該第一金屬線與第二金屬線之間,且該抗干擾導線的電壓信號與該第一金屬線的電壓信號反相,該抗干擾導線與該第一金屬線的距離小于該抗干擾導線與該第二金屬線的距離。
6.如權利要求5所述的金屬導線之間干擾的方法,其特征在于:該抗干擾導線電壓信號的絕對值小于該第一金屬線電壓信號的絕對值。
7.如權利要求5所述的降低金屬導線之間干擾的方法,其特征在于:該抗干擾導線的寬度小于該第一金屬線的寬度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于群康科技(深圳)有限公司;群創光電股份有限公司,未經群康科技(深圳)有限公司;群創光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200610060302.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:用于制造深結絕緣體上硅晶體管的方法
- 下一篇:液體處理裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





