[發明專利]一種單分散硫化銅半導體納米顆粒的制備方法

無效

• 申請號: 200610042896.5
• 申請日: 2006-05-26
• 公開（公告）號: CN101077791A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 陳建敏;陳磊;周惠娣;萬宏啟
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘭州化學物理研究所
• 主分類號: C01G3/12
• 分類號: C01G3/12
• 代理公司: 蘭州中科華西專利代理有限公司
• 代理人: 方曉佳

1、一種單分散硫化銅半導體納米顆粒的制備方法，其特征在于該方法依次包括如下步驟：

A、將銅鹽水溶液或者含有十六烷基三甲基溴化銨的銅鹽水溶液，在攪拌下加入含硫無機化合物水溶液，常溫反應10-30分鐘；其中銅鹽選自硝酸銅、硫酸銅中的一種；含硫無機化合物選自硫化鈉；

B、加入N，N-二烷基二硫代甲酸鹽的乙醇溶液，繼續常溫攪拌反應4-8小時；N，N-二烷基二硫代甲酸鹽選自N，N-二烷基二硫代甲酸鉀、N，N-二烷基二硫代甲酸鈉中的一種；將反應后的產物通過分離，得到的固形物用乙醇的水溶液漂洗，然后真空烘干，所得黑色固體即為硫化銅半導體納米顆粒。

2、如權利要求1所說的方法，其特征在于N，N-二烷基二硫代甲酸鹽的碳鏈長度為4～18。

3、如權利要求1所說的方法，其特征在于銅鹽與含硫無機化合物的摩爾比為1∶1～2。

4、如權利要求1所說的方法，其特征在于銅鹽與N，N-二烷基二硫代甲酸鹽的摩爾比為1∶1～3。

5、如權利要求1所說的方法，其特征在于銅鹽與十六烷基三甲基溴化銨的摩爾比為1∶0～2。