[發明專利]一種光致抗蝕膜的退除劑

無效

• 申請號: 200610031646.1
• 申請日: 2006-05-12
• 公開（公告）號: CN101071278A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發明（設計）人: 饒桂春;湯明坤;羅新輝;譚麗霞
• 申請（專利權）人: 湖南省科學技術研究開發院
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 長沙正奇專利事務所有限責任公司
• 代理人: 馬強

技術領域

本發明為一種光致抗蝕膜的退除液，它是一種在印制線路制造的圖形轉移過程中用于從基片上退除光致抗蝕膜的組合物。

背景技術

印制板行業引用干膜光致抗蝕劑(Dry?Film?Photoresist)以來，在線路圖形轉移中，無論是正像圖形還是負像圖形，干膜都已成為重要的“成像”技術之一，由于其具有良好的工藝性能、優良的成像性和耐化學藥品的性能，在圖形電鍍工藝中，它對于制造精細導線、提高生產率、簡化工序、改善產品質量等方面起到了其它光致抗蝕劑所起不到的作用。目前的水溶性干膜，已能滿足撓性線路、精細線路生產的需要，可提供良好的分辨率和抗蝕、抗鍍能力。

“成像”之后的光致抗蝕摸，都需要用退膜劑將其去除，以繼續進行下一步的蝕刻工藝。

常規技術使用無機堿溶液作為退膜劑，如：NaOH、KOH的3-4％的水溶液，NH₃.H₂O等。但它也存在以下缺點：一是會攻擊錫、銅鍍層，使之變色，沾污金面等；二是在精細線路退膜過程中造成錫遷移，蝕刻時有殘銅，致使線路間短路，成品合格率低；三是氫氧化納退膜時產生的膜渣過大，難于過濾，不適合機退，退膜效率較低；四是干膜中光致抗蝕劑聚合物因使用氫氧化鈉而溶入廢退膜液，造成廢液難于處理，有環保問題；五是退膜時需另行添加丁基溶纖素(Butyl?Cellusolove，BCS)或是三乙醇胺等助劑，以改善其對干膜的溶解性能，提高退膜效果，而丁基溶纖素類為毒性較高物質。

中國專利CN1219241C中公開了含有10-30％的胺化合物；20-60％的二元醇類溶劑；20-60％的極性溶劑和0.01-3％的全氟烷基乙烯氧化物組成的組合物作為光致抗蝕劑的脫膜劑，但其主要是用于脫除干法或濕法蝕刻，拋光或離子注入工藝形成的光致抗蝕劑的微粒殘渣和點狀殘渣。

發明內容

本發明要解決的技術問題是，針對現有技術存在的不足，提供一種光致抗蝕膜的退除劑，它具有從銅基材上剝離光致抗蝕膜的優良性能，其退膜速率高，退膜量大，使用成本低，無錫遷移、銅腐蝕，不玷污純錫、金、銀表面，特別適合撓性線路和精細線路的制作，而且所述退膜劑的組分不含丁基溶纖素、甲醇等毒害性物質，廢液COD含量低，易處理，生產使用均安全環保。

本發明的技術解決方案是，所述光致抗蝕膜的退除劑的重量百分比組成是：

復合有機堿??????10％-30％；

聚醚類活性劑????1％-5％；

碎膜劑??????????1％-5％；

銅緩蝕劑????????0.1％-1％；

去離子水????????60％-70％；

其中，所述復合有機堿是具有化學式X-R-NH₂的有機胺中的至少兩種，X為H、NH₂或OH，R為亞烷基；

所述聚醚類活性劑為環氧乙烷與環氧乙烷的嵌段共聚物或無機共聚物中的至少一種；

所述碎膜劑為長碳鏈的脂肪胺；

所述銅緩蝕劑為苯并三氮唑及其衍生物的中的至少一種。

以下對本發明做出進一步說明。

還可在本發明的上述組分中，加入重量百分比為1％-10％的無機堿，所述無機堿為NaOH、KOH、NH₃.H₂O中的至少一種。

本發明的復合有機堿，更優選地，在化學式X-R-NH₂中，R為1-4個碳原子的亞烷基。

優選地，所述聚醚類活性劑為重均分子量在1000以下的環氧乙烷與環氧乙烷的嵌段共聚物或無機共聚物中的至少一種；

優選地，所述碎膜劑為碳原子在8-12的脂肪胺中的至少一種；

在本發明化學式X-R-NH₂中，N原子存在孤對電子，在水溶液中表現為較強的路易斯堿，即吸附質子，使水釋放出OH^-，化學反應平衡式為：

RNH₂+H₂O＝＝RNH₃⁺+OH^-

其離解常數K_b＝[RNH₃⁺][OH^-]/[RNH₂]

(在稀溶液中水的濃度可看作常數)

PK_b＝-1gK_b，PK_b愈小，其堿性愈強。