[發明專利]制作半導體淺槽和深槽的方法

無效

• 申請號: 200610030966.5
• 申請日: 2006-09-08
• 公開（公告）號: CN101140896A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: 李永海;周正良
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

1.一種制作半導體淺槽和深槽的方法，其特征在于，依次包括如下步驟：

(1)在硅基體上淀積硬掩膜；

(2)涂光刻膠，光刻形成深槽刻蝕圖形；刻蝕深槽，去除光刻膠，熱氧化，在深槽側壁和底部形成側壁氧化層；

(3)在深槽中填充未摻雜多晶硅，反刻，去除其他區域的多晶硅；

(4)涂光刻膠，光刻膠覆蓋深槽，光刻形成淺槽刻蝕圖形；

(5)刻蝕淺槽，去除光刻膠，熱氧化，在淺槽側壁和底部以及深槽中填充的多晶硅的上側形成側壁氧化層；

(6)用高致密度氧化硅填充深槽和淺槽，反刻，CMP平坦化；

(7)去除硬掩膜。

2.根據權利要求1所述的制作半導體淺槽和深槽的方法，其特征在于，所述硬掩膜包括一層氧化硅。

3.根據權利要求1所述的制作半導體淺槽和深槽的方法，其特征在于，所述硬掩膜包括一層氮化硅。