[發明專利]可去除測試結構上寄生效應的射頻片上電感測量方法

有效

• 申請號: 200610030965.0
• 申請日: 2006-09-08
• 公開（公告）號: CN101140305A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: 曾令海;李平梁;徐向明
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G01R27/26
• 分類號: G01R27/26
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

技術領域

本發明涉及一種射頻片上電感測量方法，尤其涉及一種能去除電感測試結構所產生的寄生效應的射頻片上電感測量方法。

背景技術

在射頻(RF)片上電感模型提取時，需要測試器件在不同頻率的S參數。為了使測量可行需要有專門的電感測試結構---焊盤(PAD)以及連接PAD和電感的引線(Feed?line)。由于它們的寄生效應，都會對電感測量值的準確性有一定的影響。因此電感測量時，很關鍵的一個問題就是如何去除該電感測試結構的寄生效應。對于頻率較低的情況，引線的寄生效應可以忽略，所以只要去除焊盤的寄生效應即可使測量值達到要求。這時所用的PAD的電感測試結構稱為開路結構(open?structure)，即需要有一個只有PAD但沒有電感的空結構(dummy?structure)，目前大部分的射頻片上電感測量都集中在僅使用所述開路結構(open?structure)來去除PAD的寄生效應，該方法可基本把PAD結構等并聯寄生電容去掉，方法簡單方便，適用于較低頻率的應用。但隨著頻率的提高，引線的寄生效應的影響也越來越大，因此上述OPEN結構的電感測試方法的局限性也顯現出來。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種可去除測試結構上寄生效應的射頻片上電感測量方法，可在對射頻片上電感時同時去除電感測試結構中焊盤和引線所產生的寄生效應，從而實現準確測量出射頻片上電感的目的。

為解決上述技術問題，本發明所述方法包括以下步驟：

(1)引入一種通路結構，即在接有信號的兩個焊盤之間連接一條與測試電感引線寬度相同的連線；

(2)計算上述通路結構進行開路去除寄生效應后的S參數測試值，并將該S參數轉換成相應的ABCD參數A_{_deembopen}；

(3)使用步驟(2)所得的S參數，計算出特征阻抗Z和傳輸常數γ；

(4)基于步驟(3)所求得的特征參數Z和γ，分別計算出測試結構中左右兩條引線的ABCD參數A_{_left}和A_{_right}；

(5)基于所述左右引線的ABCD參數A_{_left}和A_{_right}，計算出去除引線寄生效應后的射頻片上電感測量的ABCD參數A_{_dut}；

(6)將上述計算所得的去除引線寄生效應后射頻片上電感測量的ABCD參數A_{_dut}轉換成相應的S參數。

本發明采用了上述技術方案，具有如下有益效果，在對電感測量值在通過開路結構測量方式去除PAD所帶來的寄生效應的基礎上，再對其使用通路結構(through?structure)測量方式去該電感測量值除引線所帶來的寄生效應，從而可以得到準確的電感測試值。

附圖說明

下面結合附圖與具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明：

附圖是本發明所述電感測試結構的測量示意圖。

具體實施方式

參考附圖所示為本發明所述測試結構的測試示意圖，本發明所述的方法包括以下步驟：

(1)引入一種新的空(dummy)結構-通路結構(through?structure)，即在接有信號的兩個PAD之間連接一條與測試電感引線寬度相同的連線。

(2)計算上述通路結構(through?structure)使用開路結構去除PAD的寄生效應(Open?De-embedding)后的S參數測試值，并將該S參數轉換成相應的ABCD參數A_{_deembopen}。

這個步驟主要是為了去除PAD的寄生效應，其主要表現為寄生電容，計算去除該寄生電容后的S參數測試值的方法是：

a、將測量結構經過校準后，直接測量射頻片上電感的S參數，并將其轉換為相應的Y參數Y_{_meas}，為本領域技術人員熟知的是，這時所測得的片上S參數測量值同時包含有PAD寄生效應和引線的寄生效應；

b、測量開路結構(open?structure)時PAD的S參數，將其轉換為相應的Y參數然Y_{_PAD}，然后使用步驟a所得的Y_{_meas}減去該Y_{_PAD}，即可得到相應的去除PAD的寄生效應后電感的Y參數，其計算公式如下：

Y_{_deembopen}＝Y_{_meas}-Y_{_PAD}