[發明專利]可去除測試結構上寄生效應的射頻片上電感測量方法

有效

• 申請號: 200610030965.0
• 申請日: 2006-09-08
• 公開（公告）號: CN101140305A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: 曾令海;李平梁;徐向明
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G01R27/26
• 分類號: G01R27/26
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

1.一種可去除測試結構上寄生效應的射頻片上電感測量方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)引入一種通路結構，即在接有信號的兩個焊盤之間連接一條與測試電感引線寬度相同的連線；

(2)計算上述通路結構使用開路結構去除焊盤的寄生效應后的S參數測試值，并將該S參數轉換成相應的ABCD參數A_{_deembopen}；

(3)使用步驟(2)所得的S參數，計算出特征阻抗Z和傳輸常數γ；

(4)基于步驟(3)所求得的特征參數Z和γ，分別計算出測試結構中左右兩條引線的ABCD參數A_{_left}和A_{_right}；

(5)基于所述左右引線的ABCD參數A_{_left}和A_{_right}，計算出去除引線寄生效應后的射頻片上電感測量的ABCD參數A_{_dut}；

(6)將上述計算所得的去除引線寄生效應后射頻片上電感測量的ABCD參數A_{_dut}轉換成相應的S參數。

2.根據權利要求1所述的可去除測試結構上寄生效應的射頻片上電感測量方法，其特征在于，所述傳輸常數γ的計算公式為：

$e^{-\mathrm{\γL}}={[\frac{1-S_{11}^2+S_{21}^2}{2S_{21}}\±K]}^{-1}$

其中，

$K={\left[\frac{{(S_{11}^2-S_{21}^2+1)}^2-{\left(2S_{11}\right)}^2}{{\left(2S_{21}\right)}^2}\right]}^{1/2}.$