[發明專利]具有不同側壁間隔壁寬度的CMOS器件制造方法

無效

• 申請號: 200610030813.0
• 申請日: 2006-09-04
• 公開（公告）號: CN101140907A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: 何德飚;蔡孟峰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種具有不同側壁間隔壁寬度的CMOS器件制造方法，包括：

提供一半導體襯底；

在所述襯底上形成第一柵極結構和第二柵極結構；

在具有所述第一柵極結構和第二柵極結構的襯底上淀積側壁間隔壁材料層；

刻蝕覆蓋所述第一柵極結構的所述側壁間隔壁材料層，同時利用掩膜保護覆蓋所述第二柵極結構的所述側壁間隔壁材料層；

刻蝕所述側壁間隔壁材料層以在所述第一柵極結構和第二柵極結構兩側形成側壁間隔壁；

執行雜質離子注入工藝以形成源極區和漏極區。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一柵極結構為NMOS晶體管的柵極結構。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第；柵極結構為PMOS晶體管的柵極結構。

4.如權利要求2或3所述的方法，其特征在于：所述柵極結構包括柵電極和襯底表面的柵極介質層。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述側壁間隔壁材料層的厚度為200～1200。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：側壁間隔壁材料層被刻蝕的厚度為30～150。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一柵極結構兩側的側壁間隔壁的寬度小于所述第二柵極結構兩側的側壁間隔壁的寬度。

8.如權利要求1或5所述的方法，其特征在于：所述側壁間隔壁材料層的材質為氮化硅(Si₃N₄)、氮化硅(Si₃N₄)之外的含氮材料(SixNy)、氮氧化硅或其組合。

9.如權利要求4所述的方法，其特征在于：所述柵極介質層為高介電常數材料層。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法還包括離子注入形成輕摻雜區的步驟。

11.一種具有不同側壁間隔壁寬度的CMOS器件制造方法，包括：

提供一半導體襯底；

在所述襯底上形成第一類型晶體管的柵極結構和第二類型晶體管的柵極結構；

在具有所述柵極結構的襯底上淀積側壁間隔壁材料層；

刻蝕覆蓋所述第一類型晶體管的柵極結構的所述側壁間隔壁材料層，同時利用掩膜保護覆蓋所述第二類型晶體管的柵極結構的所述側壁間隔壁材料層；

刻蝕所述側壁間隔壁材料層以在所述柵極兩側形成側壁間隔壁；

執行雜質離子注入工藝以形成源極區和漏極區。

12.如權利要求11所述的方法，其特征在于：所述第一類型晶體管為NMOS晶體管，所述第二類型晶體管為PMOS晶體管。

13.如權利要求11所述的方法，其特征在于：所述柵極結構包括柵電極和襯底表面的柵極介質層。

14.如權利要求11所述的方法，其特征在于：所述側壁間隔壁材料層的厚度為200～1200。

15.如權利要求11所述的方法，其特征在于：側壁間隔壁材料層被刻蝕的厚度為30～150。

16.如權利要求11所述的方法，其特征在于：所述第一類型晶體管的柵極結構兩側的側壁間隔壁的寬度小于所述第二類型晶體管的柵極結構兩側的側壁間隔壁的寬度。

17.如權利要求11或14所述的方法，其特征在于：所述側壁間隔壁材料層的材質為氮化硅(Si₃N₄)、氮化硅(Si₃N₄)之外的含氮材料(SixNy)、氮氧化硅或其組合。

18.如權利要求13所述的方法，其特征在于：所述柵極介質層為高介電常數材料層。

19.如權利要求11所述的方法，其特征在于：所述方法還包括離子注入形成輕摻雜區的步驟。