[發(fā)明專利]改善背面研削時產(chǎn)生硅屑沾污的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610030397.4
• 申請日: 2006-08-25
• 公開（公告）號: CN101131544A
• 公開（公告）日: 2008-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 倉凌盛;施靈峰
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/00
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種改善背面研削時產(chǎn)生硅屑沾污的方法。

背景技術(shù)

隨著半導體芯片尺寸的不斷縮小，在后道封裝時對硅片厚度的要求也越來越薄，目前封裝入智能卡里的芯片厚度只有大約160um左右，都需要用背面研削將硅片減薄，這已成為非常普遍的方法。

做背面研削時需要在硅片的表面貼附保護膜，在背面進行機械研削時候保護表面不受損傷。如圖1所示，進行硅基板背面1研削時，硅片表面2會貼附保護膜3后被裝載到研磨盤5上，研削刀輪6自上向下對硅片背面進行加工。如圖2所示，經(jīng)光刻后，硅片表面2向下，在保護膜3和硅片表面2的劃片槽4之間容易形成微小間隙。含有硅屑的研削水很容易沿該間隙滲到硅片的表面形成沾污。尤其在PAD(引線墊塊)上的沾污對即將封裝的芯片來說是非常致命的，因為硅屑的存在很容易造成引線脫落或者是引線和引線PAD(引線墊塊)接觸不良。

為了防止沾污情況，最普遍的方法是在貼附保護膜的時候增加壓力(一般的范圍為0.35Mpa左右)，希望使保護膜上較柔軟的膠層可以更加充分地填充到高低的結(jié)構(gòu)中。出于同樣設(shè)想，有些廠家建議在貼膜后不要直接進行研削，而是靜置一段。其目的是為了讓膠層有足夠時間以自己滲入到細微的縫隙中去，以阻擋研削水的進入。但是以上方法的作用都有限尤其是對器件的尺寸越來越小的情況，微小尺寸的縫隙使得膠層材料很難進入。還有一種常用方法會在研削后增加去離子水清洗的工藝，但效果不明顯并且可能會對鋁的PAD(引線墊塊)造成不良影響。

一些領(lǐng)先的膜供應商也紛紛推出了針對此問題的改良膜。其特點在于使用了更厚的膠層。如Mistui公司ICROSTM?165DBN膠層厚度達到了30um，比相同系列的150DBN的15um厚了一倍。在一些測試中165DBN防滲入性能較以前產(chǎn)品有了很大的改善。可是由于幾何尺寸特別是硅片V-notch的存在等原因，在某些實際的應用中發(fā)現(xiàn)即使更厚的膠層也不能明顯改善沾污的發(fā)生。而且使用厚膠層也要面臨容易有膠殘留的風險。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種改善背面研削時產(chǎn)生硅屑沾污的方法，它可以在不增加成本和工藝步驟的情況下，實現(xiàn)對研削沾污起到明顯改善作用。

為了解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種改善背面研削時產(chǎn)生硅屑沾污的方法，它包括：改善在研削前的聚酰亞胺光刻工序，即在聚酰亞胺光刻時，通過精確對準暴光對容易發(fā)生硅屑沾污的對準缺口周圍區(qū)域不進行曝光，以保留該區(qū)域的聚酰亞胺。

因為之所以在背面研削時產(chǎn)生硅屑沾污，主要在于劃片槽和保護膜之間產(chǎn)生的微小間隙造成，而在研削時，含有研屑的研削水通過上述間隙滲入到硅片表面，進而形成玷污，而本發(fā)明在光刻時，就是對準缺口周圍區(qū)域不進行光刻，進而保留了在此區(qū)域劃片槽內(nèi)的聚酰亞胺，這樣也就因為在劃片槽內(nèi)填充了聚酰亞胺，這樣劃片槽和保護膜之間的微小間隙就不存在了或更小了，這樣研削水進入到硅片表面的可能性就更小了，所以也就從根本上解決了玷污問題。另外，本發(fā)明不需要加厚保護膜，也不要增加額外的工藝步驟，即可實現(xiàn)。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明做進一步闡述。

圖1是目前硅基板背面研削示意圖；

圖2是目前硅基板研削時劃片槽斷面的示意圖；

圖3是本發(fā)明光刻對準區(qū)域劃分示意圖；

圖4是本發(fā)明硅基板研削時劃片槽斷面的示意圖；

圖5是本發(fā)明進行對準光刻定位示意圖；

圖6是圖5中A部分的放大示意圖。

具體實施方式

如圖3所示，在硅片7最周邊3-4mm范圍內(nèi)不進行光刻，比較平整，不易發(fā)生沾污。但是由于在對準缺口9處缺失了一部分硅基板(也就是在下面的劃片槽4，參見附圖2)，使研削水可以直接噴到有圖形的區(qū)域(亦是高低起伏明顯的區(qū)域)，滲入到硅片表面2(參見附圖2)造成沾污。因此在本發(fā)明中，光刻時覆蓋整枚硅片的光刻板視場分布(Shot?map)8通常將硅片分為多個區(qū)域曝光，將不曝光區(qū)域劃定在包含對準缺口9的特定光刻板視場(Shot，一般包括多個芯片的圖形陣列)10內(nèi)，形成一道包圍對準缺口9的”圍墻”區(qū)域阻擋研削水的進入硅片的表面。

如圖4所示，它就是本發(fā)明光刻后的劃片槽示意圖。它和現(xiàn)有技術(shù)的最大差別在于，在保護膜3和硅片表面2的劃片槽4之間被聚酰亞胺層11填滿，這樣二者產(chǎn)生間隙的可能性就大大降低了。

實施例