[發明專利]改善背面研削時產生硅屑沾污的方法有效
| 申請號： | 200610030397.4 | 申請日： | 2006-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN101131544A | 公開（公告）日： | 2008-02-27 |
| 發明（設計）人： | 倉凌盛;施靈峰 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 顧繼光 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 背面 研削時 產生 沾污 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善背面研削時產生硅屑沾污的方法，其特征在于，改善在研削前的聚酰亞胺光刻工序，即在聚酰亞胺光刻時，通過精確對準暴光對容易發生硅屑沾污的對準缺口周圍區域不進行曝光，以保留該區域的聚酰亞胺。
2.如權利要求1所述的改善背面研削時產生硅屑沾污的方法，其特征在于，所述的對準缺口周圍區域是指以對準缺口為中心左右0mm-60mm，及從對準缺口開始向硅片中心延伸3mm-10mm的區域范圍。
3.如權利要求1所述的改善背面研削時產生硅屑沾污的方法，其特征在于，所述精確對準暴光可以采用調節光刻板切邊的參數實現。
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