[發明專利]一種測量硅化金屬阻止區純電阻及界面電阻的方法

無效

• 申請號: 200610030224.2
• 申請日: 2006-08-18
• 公開（公告）號: CN101126777A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發明（設計）人: 蘇鼎杰;鄭敏祺;陳文橋;邵芳
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G01R27/04
• 分類號: G01R27/04;G01R27/28
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

技術領域

本發明涉及一種測量硅化金屬阻止區純電阻及界面電阻的方法，更進一步而言，涉及一種在復合模擬信號電路中使用4端電阻測試圖形來測量硅化金屬阻止區(SAB?Salicide?Block)純電阻及界面電阻的方法。

背景技術

在復合模擬信號電路設計中，例如在計算電橋或電阻不匹配時，經常要使用到SAB電阻值的精確電阻值。在現代技術中設計人員更多的使用P+poly?SAB電阻，由于其與N+poly?SAB電阻相比，具有更大的片電阻，更小的電壓系數和更好的匹配特性。因為設計者總是希望得到電路的精確的SAB電阻，這使得提供確值電阻及某些附加阻值的特性給設計者使用變得非常重要。請參閱圖1，圖1是poly?SAB電阻設計示意圖。一個完整的SAB電阻設計同時包括SAB純電阻Rpure以及在SAB電阻和硅化物電阻之間的那部分稱之為SAB界面電阻Rinterface的兩部分。為了精確的測量SAB純電阻值和界面電阻值，就需要一個新的測量方法來快速獲得這兩個電阻值。

發明內容

本發明的目的在于提供一種精確測量硅化金屬阻止區(SAB)純電阻值和界面電阻值的方法。

本發明是通過以下技術方案實現的：一種測量硅化金屬阻止區純電阻的方法，包括如下步驟：

(1)形成一個具有4個接線端口的開爾文電阻器結構，作為SAB電阻測試圖形結構；

(2)在電阻器的接線端口1處施加電壓Vforce1，接線端口4為接地端，使得在接線端口1和接線端口4之間產生電流Iforce；

(3)測量接線端口2和接線端口3的感應電壓Vsense1和Vsense2，得到接線端口2和接線端口3之間的純電阻Rpure的阻值，其中，Rpure=Vsensel-Vsense2Iforce;]]>

(4)根據公式Rpure=Rsh*LW-deltaW]]>可得到Rsh的值，其中，Rsh是方塊電阻，L是接線端口2和接線端口3之間的長度，W是版圖寬度，deltaW為硅片基于工藝的寬度誤差；

(5)根據確定Rsh、deltaW值，至少測量2個以上具有不同版圖寬度W的電阻器，可得到一個L/Rpure相對于W的函數曲線圖，從函數曲線圖可快速獲得不同版圖寬度W情況下的純電阻Rpure的阻值。

其中，所述開爾文電阻可以是N/P結或者N/P擴散型SAB電阻。

此外，本發明還提供了另一種技術方案：一種測量硅化金屬阻止區界面電阻的方法，包括如下步驟：

(1)形成一個具有4個接線端口的開爾文電阻器結構，作為SAB電阻測試圖形結構；

(2)在測試圖形結構的接線端口1處施加電壓Vforce1，接線端口4為接地端，使得在接線端口l和接線端口4之間產生電流Iforce；

(3)測量接線端口2的感應電壓Vsense1，得到接線端口1和接線端口2之間的界面電阻Rinterface的阻值，其中，Rinterface=Vforcel-VsenselIforce;]]>