[發明專利]一種測量硅化金屬阻止區純電阻及界面電阻的方法

無效

• 申請號: 200610030224.2
• 申請日: 2006-08-18
• 公開（公告）號: CN101126777A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發明（設計）人: 蘇鼎杰;鄭敏祺;陳文橋;邵芳
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G01R27/04
• 分類號: G01R27/04;G01R27/28
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

1.一種測量硅化金屬阻止區純電阻的方法，其特征在于：包括如下步驟：

(1)形成一個具有4個接線端口的開爾文電阻器結構，作為SAB電阻測試圖形結構；

(2)在電阻器的接線端口1處施加電壓V_force1，接線端口4為接地端，使得在接線端口1和接線端口4之間產生電流I_force；

(3)測量接線端口2和接線端口3的感應電壓V_sense1和V_sense2，得到接線端口2和接線端口3之間的純電阻R_pure的阻值，其中，

Rpure=Vsense1-Vsense2Iforce;]]>

(4)根據公式Rpure=Rsh*LW-deltaW]]>可得到R_sh的值，其中，R_sh是方塊電阻，L是接線端口2和接線端口3之間的長度，W是版圖寬度，deltaW為硅片基于工藝的寬度誤差；

(5)根據確定R_sh、deltaW值，至少測量2個以上具有不同版圖寬度W的電阻器，可得到一個L/R_pure相對于W的函數曲線圖，從函數曲線圖可快速獲得不同版圖寬度W情況下的純電阻R_pure的阻值。

2.如權利要求1所述的測量硅化金屬阻止區純電阻的方法，其特征在于：所述開爾文電阻可以是N/P結或者N/P擴散型SAB電阻。

3.一種測量硅化金屬阻止區界面電阻的方法，其特征在于：包括如下步驟：

(1)形成一個具有4個接線端口的開爾文電阻器結構，作為SAB電阻測試圖形結構；

(2)在測試圖形結構的接線端口1處施加電壓V_force1，接線端口4為接地端，使得在接線端口1和接線端口4之間產生電流I_force；

(3)測量接線端口2的感應電壓V_sense1，得到接線端口1和接線端口2之間的界面電阻R_interface的阻值，其中，Rinterface=Vforce1-Vsense1Iforce;]]>

(4)根據公式Rinterface=Rintweff]]>可得到電阻R_int的值，其中，Weff＝W-deltaW，W是版圖寬度，deltaW為硅片基于工藝的寬度誤差；

(5)根據確定的R_int和Weff的值，至少測量2個以上具有不同版圖寬度W的電阻器，可得到一個R_interface相對于1/Weff的函數曲線圖，從函數曲線圖可快速獲得不同版圖寬度W情況下的界面電阻R_interface的阻值。

4.如權利要求3所述的測量硅化金屬阻止區界面電阻的方法，其特征在于：所述開爾文電阻可以是N/P結或者N/P擴散型SAB電阻。