[發(fā)明專利]電平轉(zhuǎn)換電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610029913.1 | 申請日： | 2006-08-10 |
| 公開（公告）號： | CN101123430A | 公開（公告）日： | 2008-02-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 俞大立 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/0185 | 分類號： | H03K19/0185;H03K19/0175 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電平 轉(zhuǎn)換 電路 | ||
1、一種電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于包括：
第一NMOS晶體管(202a)和第二NMOS晶體管(202b)組成的降壓電路；
第一PMOS晶體管(204a)和第二PMOS晶體管(204b)組成的升壓電路；
其中，
所述第一NMOS晶體管(202a)與第二NMOS晶體管(202b)源極接地，柵極和輸入端連接；第二NMOS晶體管(202b)柵極通過一反相器連接至所述輸入端，漏極與輸出端連接；
所述第一PMOS晶體管(204a)源極和第一高電平電源電連接，漏極與所述第一NMOS晶體管(202a)漏極電連接，柵極和輸出端電連接；所述第二PMOS晶體管(204b)源極和第一高電平電源電連接，漏極與輸出端電連接，柵極與所述第一NMOS晶體管(202a)漏極電連接；
所述第一NMOS晶體管(202a)和第二NMOS晶體管(202b)為薄柵晶體管；
該電平轉(zhuǎn)換電路進(jìn)一步包括第四NMOS晶體管(203a)和第五NMOS晶體管(203b)；其中，
所述第四NMOS晶體管(203a)與所述第一NMOS晶體管(202a)串連；
所述第五NMOS晶體管(203b)與所述第二NMOS晶體管(202b)串連；
所述第四NMOS晶體管柵極(203a)連至所述輸入端；
所述第五NMOS晶體管柵極(203b)與所述第二NMOS晶體管(202b)柵極連接；
所述第四NMOS晶體管(203a)和第五NMOS晶體管(203b)為耗盡型晶體管；
當(dāng)輸入端接第二高電平時(shí)所述第一NMOS晶體管導(dǎo)通，輸出端輸出第一高電平；輸入端接地，第二NMOS晶體管導(dǎo)通，輸出端輸出低電平0V。
2、如權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于：所述反相器包括第三NMOS晶體管(206a)和第三PMOS(206b)晶體管；其中
所述第三NMOS晶體管(206a)和第三PMOS晶體管(206b)柵極分別與輸入端連接；
所述第三NMOS晶體管(206a)和第三PMOS晶體管(206b)漏極分別與所述第二NMOS晶體管(202b)柵極連接；
所述第三NMOS晶體管(206a)源極與地線電連接，第三PMOS晶體管(206b)源極與第二高電平電源連接。
3、如權(quán)利要求1或2所述的電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于：所述第一高電平電壓高于第二高電平電壓。
4、一種電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于包括：
降壓電路；升壓電路；和
與所述降壓電路串連的分壓保護(hù)電路；
其中
所述降壓電路包括第一NMOS晶體管(202a)和第二NMOS晶體管(202b)；
所述第一NMOS晶體管(202a)與第二NMOS晶體管(202b)源極接地，柵極和輸入端連接；第二NMOS晶體管(202b)柵極通過一反相器連接至所述輸入端，漏極與輸出端連接；
所述升壓電路包括第一PMOS晶體管(204a)和第二PMOS晶體管(204b)；
所述第一PMOS晶體管(204a)源極連至第一高電平電源，漏極與所述第一NMOS晶體管(202a漏極連接，柵極連至輸出端；所述第二PMOS晶體管(204b)源極連至第一高電平電源，漏極連至輸出端，柵極與所述第一NMOS晶體管(202a)漏極連接；
所述第一NMOS晶體管(202a)和第二NMOS晶體管(202b)為薄柵晶體管；
所述分壓保護(hù)電路包括第四NMOS晶體管(203a)、第五NMOS晶體管(203b)和第八NMOS晶體管(203c)；
所述第四NMOS晶體管(203a)與所述第一NMOS晶體管(202a)串連；
所述第五NMOS晶體管(203b)與所述第二NMOS晶體管(202a)串連；
所述第四NMOS晶體管(203a)和第五NMOS晶體管(203b)柵極與所述第八NMOS晶體管(203c)源極連接；
所述第八NMOS晶體管(203c)柵極與漏極電連接并連至第二高電平電源；
所述第四NMOS晶體管(203a)和第五NMOS晶體管(203b)為耗盡型晶體管；
當(dāng)輸入端接第二高電平時(shí)所述第一NMOS晶體管導(dǎo)通，輸出端輸出第一高電平；輸入端接地第二NMOS晶體管導(dǎo)通，輸出端輸出低電平0V。
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