[發明專利]CMOS圖像傳感器及其制造工藝方法無效

申請號：	200610029339.X	申請日：	2006-07-25
公開（公告）號：	CN101114660A	公開（公告）日：	2008-01-30
發明（設計）人：	趙立新;李文強;李杰	申請（專利權）人：	格科微電子（上海）有限公司
主分類號：	H01L27/146	分類號：	H01L27/146;H01L21/822;H01L21/8238
代理公司：	上海浦一知識產權代理有限公司	代理人：	丁紀鐵
地址：	201203上海市浦東新區張江***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	cmos 圖像傳感器及其制造工藝方法
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【權利要求書】：

1.一種CMOS圖像傳感器，其特征在于，采用無側墻結構的MOS晶體管。

2.一種如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制造工藝方法，其特征在于，在進行多晶硅柵或多晶硅化合物柵刻蝕后，用單次的NMOS晶體管源漏區注入和單次的PMOS晶體管源漏區注入即完成晶體管源漏結構，省略現有工藝中的側墻形成工藝、NMOS晶體管源漏區重摻雜注入和PMOS晶體管源漏區重摻雜注入的工藝步驟。

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