[發明專利]氮氣保護罩有效
| 申請號: | 200610029245.2 | 申請日: | 2006-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN101110345A | 公開(公告)日: | 2008-01-23 |
| 發明(設計)人: | 嚴瑋;程望陽;任堅 | 申請(專利權)人: | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人: | 顧繼光 |
| 地址: | 201206上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氮氣 護罩 | ||
技術領域
本發明涉及一種半導體制造行業使用的設備,特別是一種氮氣保護裝置。
背景技術
氮氣保護罩(N2?shield)是半導體制造過程中的一種常用設備,其結構一般如圖1和圖2所示,包括蓋板3、多根排氣管2和多根進氣管1,蓋板3覆蓋在排氣管2上,進氣管1穿入排氣管2中并和排氣管2通過螺絲4連接,排氣管2上開有密集的小孔。工作時,大量氮氣從進氣管1進入排氣管2,然后從排氣管2上的小孔中排出形成氣簾。工作氣體,如SiH4和O2,可以在氣簾和蓋板包圍的空間中進行工作,氣簾可以起到防止粉塵生成,減少顆粒干擾的作用。
但是,目前的氮氣保護罩很容易在圖1中圓圈A內的區域形成粉塵,會對產品帶來潛在的顆粒危害;如果改變氮氣流量,又會導致氣流分布變化,影響工藝參數。這種現象產生的原因主要是,進氣管1和排氣管2之間緊密接觸,如圖2所示,沒有空間讓氮氣自由通過A區域,進氣管1和排氣管2接觸處因氮氣不能有效流動,以至局部氣簾效果降低,使得粉塵容易堆積。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種氮氣保護罩,能避免粉塵在進氣管和排氣管接觸區域堆積。
為解決上述技術問題,本發明氮氣保護罩包括蓋板、被蓋板覆蓋的多個排氣管和與分別與排氣管連接的多個進氣管,排氣管和進氣管接觸部位的管壁之間有等于2毫米或大于2毫米的間隙。
排氣管和進氣管通過焊接方式連接。
本發明由于在氮氣保護罩的進氣管和排氣管之間保留了間隙,使得進氣管和排氣管接觸處氮氣能自由流動,可減少接觸處的粉塵堆積,減少粉塵對產品的危害,減小氮氣保護罩保養次數,增加其使用時間。
附圖說明
圖1是氮氣保護罩的外形示意圖;
圖2是現有技術中氮氣保護罩進氣管和排氣管接觸部分剖面示意圖;
圖3是本發明氮氣保護罩進氣管和排氣管接觸部分剖面示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明作進一步詳細的說明。
本發明氮氣保護罩包括蓋板3、被蓋板3覆蓋的多個排氣管2和與分別與排氣管2連接的多個進氣管1,排氣管2和進氣管1接觸部位的管壁之間有等于2毫米或大于2毫米的間隙,如圖3所示;排氣管2和進氣管1通過焊接方式連接。在本發明較優的實施例中,排氣管2和進氣管1管壁的軸向間距H等于4毫米或大于4毫米,排氣管2和進氣管1管壁的徑向間距D等于3毫米或大于3毫米。
本發明由于在氮氣保護罩的進氣管和排氣管之間保留了間隙,使得進氣管和排氣管接觸處氮氣能自由流動,可減少接觸處的粉塵堆積,減少粉塵對產品的危害,減小氮氣保護罩保養次數,增加其使用時間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





