[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器件分離柵極的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610028779.3
• 申請(qǐng)日: 2006-07-10
• 公開（公告）號(hào): CN101106109A
• 公開（公告）日: 2008-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪中山;金賢在;季華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8247
• 分類號(hào): H01L21/8247;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種存儲(chǔ)器件分離柵極的制造方法，其特征在于包括：

提供一具有復(fù)數(shù)溝槽和凸棱的半導(dǎo)體襯底；

在所述溝槽內(nèi)及凸棱上形成第一覆蓋層；

刻蝕所述第一覆蓋層使其厚度介于所述溝槽深度的十分之一至二分之一之間；

在所述溝槽側(cè)壁、第一覆蓋層和凸棱上形成第二覆蓋層；

刻蝕所述第二覆蓋層至溝槽側(cè)壁及凸棱上的第二覆蓋層全部被移除。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件分離柵極的制造方法，其特征在于：所述溝槽側(cè)壁形成有第一介質(zhì)層。

3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件分離柵極的制造方法，其特征在于：所述第一介質(zhì)層為氧化硅。

4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件分離柵極的制造方法，其特征在于：所述凸棱上有硬掩膜層。

5.如權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器件分離柵極的制造方法，其特征在于：所述硬掩膜層為氮化硅。

6.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件分離柵極的制造方法，其特征在于：所述第一覆蓋層多晶硅。

7.如權(quán)利要求1或6所述的存儲(chǔ)器件分離柵極的制造方法，其特征在于：所述第一覆蓋層的形成方法為物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積。

8.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件分離柵極的制造方法，其特征在于：所述第二覆蓋層為多晶硅。

9.如權(quán)利要求1或8所述的存儲(chǔ)器件分離柵極的制造方法，其特征在于：所述第二覆蓋層厚度小于溝槽寬度的三分之一。

10.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件分離柵極的制造方法，其特征在于：對(duì)第二覆蓋層的刻蝕為等向性刻蝕。

11.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件分離柵極的制造方法，其特征在于：所述溝槽底部形成有第二介質(zhì)層。

12.如權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器件分離柵極的制造方法，其特征在于：所述第二介質(zhì)層為氧化硅。

13.一種存儲(chǔ)器件分離柵極的制造方法，其特征在于，包括：

提供一具有復(fù)數(shù)溝槽和凸棱的半導(dǎo)體襯底；

在所述溝槽內(nèi)及凸棱上形成第一覆蓋層；

刻蝕所述第一覆蓋層使其厚度介于所述溝槽深度的十分之一至二分之一之間；

在所述第一覆蓋層上形成厚度小于溝槽寬度三分之一的第二覆蓋層；

等向刻蝕所述第二覆蓋層至溝槽側(cè)壁及凸棱上的第二覆蓋層全部被移除。

14.如權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器件分離柵極的制造方法，其特征在于：所述凸棱上有硬掩膜層。

15.如權(quán)利要求14所述的存儲(chǔ)器件分離柵極的制造方法，其特征在于：所述硬掩膜層為氮化硅。

16.如權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器件分離柵極的制造方法，其特征在于：所述第一覆蓋層為多晶硅。