[發(fā)明專利]互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610028774.0 | 申請日： | 2006-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN101106107A | 公開（公告）日： | 2008-01-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊勇勝;邢溯;肖德元 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 互補 金屬 氧化物 半導(dǎo)體器件 制造 方法 | ||
1.一種互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于包括：
提供一半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底中形成N阱和P阱；
在所述半導(dǎo)體襯底上形成氧化層；
對所述N阱和P阱進行第一階段摻雜；
對所述N阱和P阱進行第二階段摻雜；
在所述N阱和P阱區(qū)域形成柵極、源極和漏極。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一階段摻雜能量為55KeV～75KeV。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一階段摻雜能量為90KeV～110KeV。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二階段摻雜能量為55KeV～75KeV。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二階段摻雜能量為90KeV～110KeV。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述摻雜物質(zhì)為硼。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體襯底為P型或N型襯底。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體襯底上有外延層。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述N阱和P阱的形成步驟為：
在所述半導(dǎo)體襯底上旋涂第一光致抗蝕劑并曝光顯影形成N阱圖案；
對所述具有N阱圖案的襯底進行N型摻雜；
去除所述第一光致抗蝕劑；
對所述半導(dǎo)體襯底退火；
在所述半導(dǎo)體襯底上旋涂第二光致抗蝕劑并形成P阱圖案；
對所述具有P阱圖案的襯底進行P型摻雜；
去除所述第二光致抗蝕劑；
對所述半導(dǎo)體襯底進行退火。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法進一步包括：
在所述柵極、源極和漏極上形成互連層。
11.一種互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于包括：
提供一半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底中形成P阱；
在所述半導(dǎo)體襯底上形成氧化層；
對所述半導(dǎo)體襯底進行第一階段摻雜；
對所述半導(dǎo)體襯底進行第二階段摻雜；
在所述P阱區(qū)域和P阱區(qū)外半導(dǎo)體襯底上分別形成柵極、源極和漏極。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于：所述第一階段摻雜能量為55KeV～75KeV。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于：所述第一階段摻雜能量為90KeV～110KeV。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于：所述第二階段摻雜能量為55KeV～75KeV。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于：所述第二階段摻雜能量為90KeV～110KeV。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于：所述摻雜物質(zhì)為硼。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體襯底為N型襯底。
18.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體襯底上有外延層。
19.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述P阱的形成步驟為：
在所述半導(dǎo)體襯底上旋涂光致抗蝕劑并形成P阱圖案；
對所述具有P阱圖案的襯底進行P型摻雜；
去除所述光致抗蝕劑；
對所述半導(dǎo)體襯底進行退火。
20.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，該方法進一步包括：
在所述柵極、源極和漏極上形成互連層。
21.一種互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于包括：
提供一半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底中形成N阱；
在所述半導(dǎo)體襯底上形成氧化層；
對所述半導(dǎo)體襯底進行第一階段摻雜；
對所述半導(dǎo)體襯底進行第二階段摻雜；
在所述N阱區(qū)域和N阱區(qū)外半導(dǎo)體襯底上分別形成柵極、源極和漏極。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
