[發明專利]晶片檢測方法有效
| 申請號： | 200610027587.0 | 申請日： | 2006-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN101090083A | 公開（公告）日： | 2007-12-19 |
| 發明（設計）人： | 左仲;王明珠;呂秋玲;趙慶國 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;G01N21/95;G01R31/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶片 檢測 方法 | ||
1.一種晶片檢測方法，其特征在于，包括：
a.利用自動目檢工具中的光學處理單元獲取晶片光學圖像；
b.對晶片光學圖像進行灰度計算及分區；
c.確定各分區內的標準芯片；
d.將不同分區內的其它芯片同其所在分區內的標準芯片進行灰度值對比，檢測出缺陷芯片。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述標準芯片和其它芯片內均包含復數個像素單元。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于：所述標準芯片和其它芯片均通過復數個像素單元構成的像素矩陣表示。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于：對晶片光學圖像進行灰度計算后，所述像素矩陣具有確定的多級灰度值。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述分區的具體方式根據產品狀況及工藝條件確定。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：所述分區為晶片光學圖像內的任意區域。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于：所述分區為晶片光學圖像內呈同心環狀分布的不同區域。
8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于：所述分區為晶片光學圖像內呈條狀分布的不同區域。
9.根據權利要求6所述的方法，其特征在于：所述分區內標準芯片的選取根據產品狀況及工藝條件確定。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：用以代表所述分區內標準芯片的像素矩陣內各像素單元具有的灰度值通過對所處分區內代表任取的復數個芯片的像素矩陣內各相應像素單元的灰度值取平均值得到。
11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：進行所述灰度值對比之前，需預先設定灰度值允許偏差范圍；所述灰度值允許偏差范圍由具體的產品要求及工藝條件確定。
12.根據權利要求12所述的方法，其特征在于：當代表晶片內其它芯片的像素矩陣內某一像素單元或多個像素單元與標準芯片內相應像素單元的灰度值偏差超出所述允許偏差范圍時，判定所述被測芯片為缺陷芯片。
13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述對晶片光學圖像進行灰度計算及分區的順序為先進行灰度計算，后分區；或者先分區，后進行灰度計算。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
