[發明專利]一種MIM電容材料刻蝕方法無效
| 申請號： | 200610025838.1 | 申請日： | 2006-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN101059657A | 公開（公告）日： | 2007-10-24 |
| 發明（設計）人： | 劉鵬;鄭蓮晃;韓秋華;吳湘惠;陳寰;朱旋 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mim 電容 材料 刻蝕 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種MIM電容材料刻蝕方法，其特征在于：
a.在晶片上依次形成第一金屬層、電介質層和第二金屬層；
b.在所述第二金屬層上淀積一掩膜層；
c.涂覆光致抗蝕劑并圖案化所述掩膜層；
d.移除所述光致抗蝕劑；
e.利用所述掩膜層刻蝕所述第二金屬層。
2.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于：所述第二金屬層為上電極。
3.根據權利要求2所述的刻蝕方法，其特征在于：所述上電極材料為Ta。
4.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于：所述掩膜層的圖案化為刻蝕出電極引線圖形。
5.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于：所述掩膜層由具有良好阻擋作用及較高密度和絕緣強度的硬掩膜材料構成。
6.根據權利要求5所述的刻蝕方法，其特征在于：所述硬掩膜材料為氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)或氮氧化硅(SiON)。
7.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于：所述光致抗蝕劑為正性光刻膠或負性光刻膠。
8.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于：所述電介質層為高介電常數絕緣層。
9.根據權利要求8所述的刻蝕方法，其特征在于：所述絕緣層材料為氧化硅(SiO2)或氮化硅Si3N4。
10.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于：所述第一金屬層為下電極。
11.根據權利要求10所述的刻蝕方法，其特征在于：所述下電極材料為Cu合金。
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