[發(fā)明專利]磁控濺射卷繞鍍膜機有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610022288.8 | 申請日: | 2006-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN101191195A | 公開(公告)日: | 2008-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 甘國工 | 申請(專利權(quán))人: | 甘國工 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/56;C23C14/02;C23C14/12 |
| 代理公司: | 成都立信專利事務(wù)所有限公司 | 代理人: | 江曉萍 |
| 地址: | 610100四川省成都市龍泉驛區(qū)*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磁控濺射 卷繞 鍍膜 | ||
1.磁控濺射卷繞鍍膜機,至少包括有卷材放卷機構(gòu)和/或收卷機構(gòu)的真空室,至少一個鍍膜真空室,連接收卷、放卷真空室及鍍膜真空室的真空連接箱,其特征在于有至少一個鍍膜真空室中有真空鍍膜箱體,位于真空鍍膜箱體內(nèi)的冷卻輥,以冷卻輥為中心周圍布置有至少3組陰極和高低壓真空泵及管道組成的真空抽氣系統(tǒng),磁控濺射的陰極的靶及靶芯設(shè)置在每個真空鍍膜箱體中,陰極通過陰極法蘭連接座以法蘭連接形式安裝在真空鍍膜箱體壁上,氣體、電源、冷卻水連接管線置于真空鍍膜箱體壁外,每組陰極之間有擋氣隔離板將真空鍍膜箱體殼體與冷卻輥之間的空隙隔離形成抽氣通道。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射卷繞鍍膜機,其特征在于鍍膜真空室為二個。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射卷繞鍍膜機,其特征在于鍍膜真空室為三個。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的磁控濺射卷繞鍍膜機,其特征在于卷材放卷機構(gòu)與卷材收卷機構(gòu)同置于一個真空室內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的磁控濺射卷繞鍍膜機,其特征在于卷材放卷機構(gòu)與卷材收卷機構(gòu)分別設(shè)置在卷繞鍍膜機兩端獨立設(shè)立的真空室內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁控濺射卷繞鍍膜機,其特征在于卷材放卷真空室及收卷真空室與真空連接箱之間設(shè)置有可以分隔兩箱之間的真空度及真空狀態(tài)的閥門,該閥門是翻板閥或閘板閥或滾動橡膠輥組成的門閥。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3磁控濺射卷繞鍍膜機,其特征在于兩組陰極之間設(shè)立的擋氣隔離板由兩塊隔離板組成抽氣通道,抽氣泵及抽氣管道放置在真空鍍膜箱體兩端和/或真空鍍膜箱體之上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的磁控濺射卷繞鍍膜機,其特征在于在多個真空鍍膜室的首個陰極安裝位置安裝濺射所產(chǎn)生的等離子體使卷材鍍前其表面被等離子體清洗的條形陰極離子源預(yù)處理機構(gòu)。
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





