[發明專利]半導體晶片的容置盒以及半導體晶片的容置方法

有效

• 申請號: 200580052252.8
• 申請日: 2005-12-06
• 公開（公告）號: CN101326623A
• 公開（公告）日: 2008-12-17
• 發明（設計）人: 新城嘉昭;下別府佑三;手代木和雄;吉本和浩
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;B65D85/86
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 張龍哺

技術領域

本發明涉及一種用于搬運或者保管半導體晶片的容置盒以及該半導體晶片的容置方法。

背景技術

近幾年，伴隨著半導體封裝小型化、薄型化的要求，半導體晶片也正在向薄型化發展。但是，若在搬運或者保管薄型化的半導體晶片時仍舊采用以往的容置方式，將產生半導體晶片容易碎裂的問題，從而需要一種新的容置方式。

在半導體晶片的搬運或保管過程中，通常使用容置盒，所述容置盒在其內部形成隔開一定間隔配設的切口(slit)部。作為這樣的容置盒，存在最多能夠容置25張半導體晶片的裝置。此外，還通過向半導體晶片之間插入層間紙來堆疊多枚半導體晶片的方式容置半導體晶片的容置盒。作為半導體晶片搬運或者保管的形式，公知了各種容置盒(例如，參照專利文獻1、專利文獻2、專利文獻3)。

專利文獻1：JP特開平6-085046號公報

專利文獻2：JP特開2000-355392號公報

專利文獻3：JP特開平7-161805號公報

發明內容

發明將要解決的問題

如上所述，伴隨著近幾年的半導體封裝小型化、薄型化的需要，半導體晶片也正在向薄型化發展。存在從當初厚度約為0.7mm的半導體晶片到最近厚度約為0.05mm的各種半導體晶片。

一般的容置盒在內部形成隔開一定間隔配設的槽(或者切口部)。沿著該槽容置半導體晶片。通常，因為前提是在該容置盒中容置未處理的半導體晶片(例如，厚度約0.7mm)，所以以大致1mm～2mm的間隔形成盒內部的槽。

可是，該容置盒并不是固定支承晶片周邊部的構造。因此，雖然通用性強，但是在搬運或者保管時有產生缺陷的危險。即，若半導體晶片繼續向薄型化發展，對于不同厚度的半導體晶片，由于受搬運時的振動或者沖擊，很容易在半導體晶片上產生碎裂或缺口等缺陷。

圖1A、圖1B以及圖1C表示以往的伸縮型容置盒的一個例子。

圖1A是表示該伸縮型容置盒4為伸長狀態時的剖視圖。圖1B是表示該伸縮型容置盒4為收縮狀態時的剖視圖。圖1C是表示該伸縮型容置盒4的結構的立體圖。

如圖1C所示，該容置盒4是蛇腹式的收縮盒，在其前面與后面形成開口，在后面的開口上設置合適的阻止膜構件(未圖示)。在容置盒4的左壁面以及右壁面上，多個隔開一定間隔配設的切口部6以在上表面2與底面3之間延伸的方式被形成。在容置盒4的上表面2上，設置用于把持容置盒4的把手部5。各切口部6由上側斜面部6a和下側斜面部6b構成。

在此，對使用該伸縮型容置盒4來容置或者搬運薄型化的半導體晶片1時的情況進行說明。

如圖1A所示，研削變薄的半導體晶片1的前端具有鋒利的形狀(晶片邊緣)。若向容置盒4的一個切口部6中插入該半導體晶片1，則晶片邊緣只與該切口部6的下側斜面部6b相接觸。

在容置或者搬運半導體晶片1時，如圖1B所示，施加外力使容置盒4成為收縮狀態。因此，在容置或者搬運時，該半導體晶片1容易產生碎裂或者缺口等缺陷。

這樣的缺陷是由于將原厚度的半導體晶片1周邊部的R形部分研削至原厚度的一半以下而產生的。將半導體晶片加工的越薄，晶片邊緣就變得越鋒利，只施加很小的外力晶片就會碎裂。

此外，該方式的容置盒有容置盒高度高，容置容積大的缺點。因此，為了保管該容置盒4需要大的空間，而且向其他地方搬運時的運輸成本也變高。因此，期待著容置盒自身小型化。

作為解決這些問題點的裝置，設計了一種在半導體晶片之間使用層間紙，可層積多枚半導體晶片的層疊型的容置盒。

但是，通過這樣的裝置，半導體晶片側面與容置盒的內壁表面相連接，在使用于上述薄型化的半導體晶片的情況下，不能保證能夠充分地避免產生碎裂或者缺口等的缺陷。

此外，雖然設計了如專利文獻3所示的蛇腹式的伸縮盒，但是在搬運或者容置具有鋒利邊緣的半導體晶片時，將會產生碎裂或者缺口等的缺陷。使用圖2對于這一點進行說明。

在圖2中，包含虛線所表示的部分的原厚度的半導體晶片具有研削加工(背面磨削：back?grind)之前的底面1d、形成半導體集成電路圖案、的圖案、面1a。

通過研削加工(背面磨削)，使半導體晶片薄型化成為圖2實線表示的形狀。此時，半導體晶片1具有圖案、面1a、研削加工(背面磨削)后的背面磨削面1b。研削加工的結果是將半導體晶片1的周邊部中的R形狀的部分研削至原厚度一半以下的厚度。因此，在半導體晶片1的前端形成鋒利形狀的晶片邊緣1c。